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GaN Systems, annonce un décollage spectaculaire de cette technologie et prédit qu’elle formera la base de l’électronique de puissance dans les trois prochaines années. Fondé il y a tout juste sept ans, GaN Systems a développé une gamme sans équivalent de transistors de puissance en nitrure de gallium basés sur sa technologie propriétaire Island®. Ces nouveaux dispositifs en GaN offrent de gros avantages par rapport aux MOSFET et IGBT en silicium traditionnels, et apparaissent dans des circuits d’électronique de puissance plus petits, plus légers et plus efficaces dans de nombreuses applications industrielles, grand public et automobiles, comme les alimentations de centres de données, les adaptateurs de voyage pour notebooks, les moteurs pour systèmes d’air conditionné, les chargeurs de batteries de véhicules électriques et les circuits d’entraînement.

La société, dont le siège est à Ottawa, expose pour la première fois à Electronica 2014 et présente la gamme de dispositifs en GaN la plus complète du marché, avec des produits de 8 à 250 A. Basés sur son cœur de propriété intellectuelle Island Technology®, ces semiconducteurs de puissance incorporent la large bande interdite, la haute vitesse de commutation et les hautes tenues en température, tension et courant du nitrure de gallium dans une structure unique qui maximise le rendement des tranches et produit des transistors de haute efficacité qui sont jusqu’à quatre fois plus petits et moins chers qu’avec les approches traditionnelles. La haute vitesse de commutation et la forte densité de courant de la technologie Island® sont renforcées par le packaging GaNPX™, pratiquement un « chipscale » de la taille d’une puce sans microcâblage, minimisant l’inductance et la résistance thermique et augmentant la fiabilité. La troisième innovation des produits de GaN Systems est l’intégration sur la puce du pilote Drive Assist™, ce qui simplifie la conception du circuit, élimine les problèmes de commande liés à l’effet Miller et augmente la vitesse de commutation.

« Tous les concepteurs de systèmes d’alimentation s’accordent pour dire que l’arrivée des transistors GaN pourrait bien être l’avancée la plus importante depuis l’adoption des IGBT dans les années 1990, » déclare Jim Witham, CEO de GaN Systems. « La capacité de réduire les pertes de 50 à 90% ou de diviser par quatre la taille et le poids d’un système auront un impact sur la conception et l’usage des systèmes d’alimentation. A la pointe de l’industrie, nos transistors de puissance ont permis de commencer cette transition. Notre gamme de produits GaN est la plus large du marché mondial et apporte une technologie unique qui permet de l’incorporer aisément dans les produits d’électronique de puissance de prochaine génération. »

« L’année 2014 a été l’une des excitantes et des plus importantes depuis nos débuts, » poursuit Jim Witham. « Notre accord de distribution mondiale avec Mouser Electronics a mis nos produits directement à la portée des ingénieurs électroniciens, nous avons augmenté nos effectifs, nommé plusieurs vice-présidents en Europe et en Asie, et présenté des communications ou exposé nos produits dans les grandes conférences du monde entier. Un peu plus tôt dans l’année, notre siège a emménagé dans de nouveaux locaux plus étendus à Kanata, le quartier high-tech d’Ottawa, ce qui nous a permis de multiplier par dix la surface de notre laboratoire, de doter nos installations de R&D d’équipements à l’état de l’art et des sources dédiées d’énergie et de refroidissement qui leur sont nécessaires pour explorer à fond les applications de puissance et accélérer le développement et le test des nouveaux produits. »

http://www.gansystems.com