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Qualifiés pour l’automobile et délivrant une résistance à l’état passant (Rds(on)) à l’état de l’art pour les applications automobiles nécessitant un courant élevé dans un encombrement réduit, telles que la commande moteur des pompes et le contrôle des actionneurs.

Les AUIRFN8459 et AUIRFN8458 sont les premiers membres d’une famille de double MOSFET de puissance pour le secteur automobile, en boîtier PQFN de 5x6 mm, et bénéficiant de la technologie en tranchées 40 V COOLiRFET™ la plus avancée d’IR. L’AUIRFN8459 présente une Rds(on) extrêmement faible de 5,9 mOhms par canal, tout en supportant des courants élevés jusqu’à 50 A.

“Les composants double COOLiRFET™ 40 V en PQFN 5x6 mm AUIRFN8459 et AUIRFN8458 présentent un encombrement réduit de plus de 50 % par rapport aux boîtiers DPAK (TO-252) traditionnels ; combiné à une résistance et une inductance de boîtier et une Rds(on) très faibles, cela les positionne très favorablement pour les applications automobiles 12 V conventionnelles comme le contrôle moteur qui requièrent un rendement et une densité de puissance supérieurs dans un espace réduit,” estime Jifeng Qin, responsable produits pour les MOSFET automobiles au sein de la division Composants automobiles d’IR.

Ces nouveaux composants double COOLiRFET™ en boîtier PQFN mesurant 5x6 mm présentent également une faible empreinte thermique vers le circuit imprimé et de meilleures performances thermiques qu’un boîtier SO- 8, et délivrent ainsi davantage de rendement et de densité de puissance pour un coût global du système inférieur.

Les MOSFET automobiles d’IR sont soumis à des tests statiques et dynamiques combinés à une inspection visuelle des Wafer entièrement automatisée dans le cadre de l’initiative qualité automobile d’IR visant le zéro défaut. Les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20 % après un millier de cycles de test en température.

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