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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa gamme de transistors MOSFET de puissance canal-N pour l’automobile, avec le lancement de deux nouveaux dispositifs : le TK160F10N1, 100V 160A, et le TK200F04N1L, 40V 200A. Les applications cible sont notamment les EPS, les convertisseurs DC-DC, et les commutateurs de charge.

Chaque dispositif comporte une puce issue du processus U-MOSVIII-H, en boîtier TO-220SM(W), dont la résistance a pu être réduite, grâce à de nouvelles connexions internes en cuivre. Ainsi, ces produits proposent les plus faibles résistances à l’état passant du marché, comme en témoignent les valeurs RDS(ON) = 0.78 mΩ (typique) avec VGS = 10V, pour le TK200F04N1L, et RDS(ON) = 2.0 mΩ (typique) avec VGS = 10V, pour le TK160F10N1.

Les deux dispositifs présentent également une très faible résistance thermique Rth(ch-c) = 0.4°C/W (maxi), et une température maximum de canal de 175°C.

Ces nouveaux MOSFET offrent un rendement supérieur et un échauffement inférieur pour les applications de type EPS, convertisseurs DC-DC, ou commutateurs de charge. En outre, l’U-MOSVIII-H présente une meilleure capacité de suppression des ondulations de commutation que la génération précédente, ce qui contribue à la réduction du bruit EMI quelle que soit l’application.

Les TK160F10N1 et TK200F04N1L seront conformes au cahier des charges de qualification automobile AEC-Q101.

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