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Nouveaux produits

DelfMEMS présente les premiers commutateurs ohmiques RF à douze voies

Publication: Février 2015

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Les commutateurs SP12T fabriqués grâce à la technologie MEMS FreeFlex™ permettront l’obtention des performances requises par les futures générations de téléphones portables...
 

DelfMEMS exposera lors du Mobile World Congress (MWC) 2015 ce qui semble être les premiers commutateurs ohmiques à douze voies réalisés en technologie MEMS.

Cybèle Rolland, présidente et directrice générale de DelfMEMS explique :

"Jusqu’à aujourd’hui, les industriels du domaine se sont orientés sur la voie des commutateurs capacitifs. Nous avons, quant à nous, choisi le chemin plus compliqué des commutateurs ohmiques pour leurs meilleures performances et nous sommes parvenus à en créer la toute première version fonctionnelle au monde. Nous la présenterons à nos clients et à la presse lors du MWC à Barcelone cette année. C’est une étape clé pour l’entreprise ; nous avons déjà signé plusieurs contrats et d’autres sont à venir. Nous anticipons nos premières livraisons pour la deuxième moitié de 2016. Les commutateurs RF en technologie MEMS sont connus depuis des années comme étant une excellente solution potentielle pour l’amélioration des performances RF des téléphones portables. Ils ont cependant eu un succès limité de par leur coût et des problèmes de fiabilité. Ce sont des obstacles que nous avons réussis à surmonter grâce à notre technologie FreeFlex™."

L’avantage offert par la solution de commutation RF de DelfMEMS est la possibilité de fournir les performances nécessaires aux futures générations de téléphones portables utilisant les standards 4G LTE-A et futurs. Ces performances incluent des pertes d’insertion extrêmement basses, une très forte isolation et une linéarité exceptionnellement haute afin de permettre une agrégation de porteuses en liaison montante.

Les niveaux de performance des premiers exemplaires de commutateurs SP12T montrés au MWC sont comparables à ceux des solutions actuellement sur le marché. Ces niveaux seront cependant significativement plus élevés pour les composants en production, permettant l’atteinte totale du potentiel du standard 4G LTE-A pour la transmission de données à la fois montante et descendante.

http://www.delfmems.com

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