Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Power Integrations (Nasdaq : POWI) annonce une famille de diodes Qspeed™ de 150 V. Les diodes de la série LQA150 sont les diodes de silicium les plus rapides du monde, et elles offrent aussi d’excellentes caractéristiques de
commutation douce pour réduire les interférence électromagnétiques (EMI).
Utilisant la technologie merged-PIN de la famille Qspeed, ces diodes présentent la capacité de jonction (CJ) et la charge de recouvrement inverse (QRR) les plus basses du marché, respectivement 60 % et 40 % plus basses que celles des dispositifs Schottky à tranchée.
Cet équilibre unique facilite le fonctionnement à haute fréquence et permet d’utiliser des composants magnétiques petits et économiques tout en maximisant l’efficacité. L’excellent comportement en EMI réduit, voire élimine le besoin en condensateurs limiteurs d’oscillations (« snubbers »), ce qui améliore encore le rendement et réduit le coût.
« Nos tests montrent que ces diodes de silicium sont les plus rapides du marché, avec les plus faibles pertes de commutation, » commente Klaus Pietrczak. « Elles doublent au moins la performance des diodes Schottky à tranchée, ce qui est très intéressant dans les applications à haute fréquence. »
Disponibles en versions de 10 à 40 A avec une configuration à cathode commune, ces diodes de 150 V visent des applications de convertisseurs DC-DC et de redresseurs de sortie à commutation dure ou douce. Les diodes LQA150 sont immédiatement disponibles en boîtiers DPAK, D2PAK et TO-220, au prix unitaire de 0,33 à 0,96 $ par 10 000 pièces.
