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Toshiba Electronics Europe vient d’ajouter deux nouveaux dispositifs canal-N à sa famille de MOSFET de commutation rapide à haut rendement, U-MOS IX-H. Les TK3R1E04PL et TK3R1A04PL permettent aux concepteurs d’améliorer les performances et de réduire la consommation des applications d’alimentation, comme les convertisseurs DC-DC (continu-continu) ou les circuits secondaires des alimentations AC-DC SMPS (Switch Mode Power Supply, ou alimentation à découpage).

Les TK3R1E04PL (en boîtier TO-220) et TK3R1A04PL (en boîtier TO-220SIS) ont une tension nominale maximum VDSS de 40V et peuvent fonctionner avec des tensions grille-source (VGSS) de +/-20V. Leurs courants de drain DC maximum sont respectivement de 100A et 82A.

Les deux dispositifs présentent une résistance à l’état passant (RDS(ON)) typique faible, de seulement 2.5 m¦¸ (¨¤ VGS = 10V), et une capacitance de sortie typique (COSS) de 1000 pF. Ces caractéristiques assurent un haut rendement à l’état passant, une commutation rapide, et des pertes de commutation inférieures.

Grâce à leur meilleur compromis résistance-capacité "dans leur catégorie", les TK3R1E04PL et TK3R1A04PL assurent des performances et un rendement optimum aux applications d’alimentation. Cela comprend les circuits de redressement synchrone, avec lesquels une faible charge en sortie (QOSS) réduit la contribution du dispositif aux pertes d’énergie de rectification.

Ces nouveaux MOSFET fonctionnent avec des températures de canal jusqu’à 175ºC, tandis que la technologie U-MOS IX-H garantit un fonctionnement stable sur un large éventail de températures et de conditions de charge.

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