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Littelfuse est, depuis le mois de mars, l’actionnaire majoritaire de Monolith Semiconductor Inc., une start-up spécialisée dans la technologie du carbure de silicium. Ensemble, ils orienteront leurs efforts sur les innovations dans les secteurs des semiconducteurs de performance et de la technologie SiC. Ils présenteront leurs derniers investissements et améliorations dans le hall 7, stand 7-335.

“Les principales évolutions mondiales dans le domaine de l’électronique de puissance sont présentées chaque année au PCIM. Nous avons hâte d’y être de nouveau cette année pour présenter nos produits et solutions les plus récents. Ceux-ci inclueront des solutions économes en énergie basées sur la technologie SiC (carbure de silicum) ainsi que notre large gamme haute intensité,” annonce Ian Highley, premier vice président et directeur général pour les semi-conducteurs chez Littelfuse.

Sur le stand de démonstration, Littelfuse présentera des technologies telles que des diodes et MOSFET 1200V, SiC, IGBT, 1200V ainsi que la plateforme Thy & Rec, 1200V / 150C. Il y sera également effectué des démonstrations de la Plateforme de caractérisation dynamique, Driver Grille Driver économique, convertisseur d’évaluation 5kW et High Power Half-Way Evaluation Board (circuit imprimé d’évaluation haute puissance). En outre, les visiteurs seront en mesure de visualiser des démonstrations d’évaluation de fiabilité et des kits d’outils de conversion 5kW ainsi que des présentations de produits sur des modules solaires et fusibles haute vitesse.

De plus, les experts de Littelfuse et Monolith effectueront quelques présentations au PCIM Europe 2017 :

 ‘Libérer les MOSFET SiC, obtenir la meilleure performance’, Xuning Zhang, Monolith, Mardi, 16 mai, 12:40 - 13:00, au Forum des exposants, hall 7, stand 507

 ‘Fabrication de MOSFET 1.2 KV SiC robustes dans un CMOS grand volume de 150mm’, Corey Deyalsingh, Littelfuse, Mardi, 16 mai, 14:20 - 14:40 pm, au Forum des exposants, hall 7, stand 507

 Affiches : ‘Dispositifs à grande largeur de bande’ – ‘Caractérisation et optimisation de diodes SiC roue libre pour une minimisation des pertes de commutation sur une large plage de températures’ & ‘Comparaison du niveau des systèmes des Si IGBTet SiC MOSFET - Levi Gant, Monolith, Mr. Xuning Zhang, Monolith, Mardi, 16 mai, 15:30 - 17:30, dans le NCC Mitte

 ‘MOSFET SIC - Comment pouvons-nous répondre au succès des diodes SIC ?’ Dr. Sujit Banerjee, Monolith, Jeudi, 18 mai, 12:30 - 13:00, au Forum de l’Industrie, hall 6, stand 143

 ‘Solutions pour une E-mobilité plus sûre’ - Dr. Carlos Castro, Mardi, 16 mai & mercredi, 17 mai, de 10:30 à 11:00 am, au forum de la E-mobilité, hall 6, stand 326

http://www.littelfuse.com/