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Nouveaux produits

Toshiba lance un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V

Publication: 21 octobre

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Le dispositif offre des pertes considérablement réduites, qui augmentent le rendement de la solution de puissance hôte...
 

Toshiba Electronics Europe (« Toshiba ») a lancé un MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V pour les applications industrielles de puissance élevée, notamment les alimentations CA-CC à tension d’entrée 400 V, les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels destinés aux alimentations sans coupure (UPS).

Le nouveau MOSFET de puissance TW070J120B fait appel à du SiC, un matériau à bande interdite large, qui permet aux dispositifs de supporter une tension élevée, et d’assurer une commutation rapide et d’offrir une faible résistance à l’état passant, par rapport aux MOSFET classiques et aux transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) au silicium (Si). Par conséquent, ce nouveau MOSFET contribuera sensiblement à réduire la consommation et à améliorer la densité de puissance, ce qui au bout du compte permettra de réduire la taille des systèmes.

Produit à partir d’une puce Toshiba de seconde génération, ce nouveau MOSFET SiC offre une fiabilité renforcée. En outre, le TW070J120B présente une faible capacité d’entrée (C ISS ) de 1 680 pF (typique), une faible charge d’entrée au niveau de la grille (Q g ) de 67 nC (typique), et une résistance drain-source à l’état passant (R DS(ON) ) de seulement 70 mΩ (typique).

Par rapport à un IGBT silicium 1 200 V comme le GT40QR21 de Toshiba, ce nouveau dispositif réduit d’environ 80% les pertes de commutation, et d’environ 70% le temps de commutation (à la coupure), tout en offrant une faible tension à l’état passant et un courant de drain (ID) pouvant atteindre 20 A.

La tension de déclenchement de grille (Vth) est fixée à un niveau élevé (entre 4,2 V et 5,8 V), ce qui réduit le risque d’allumage ou d’extinction intempestive. Par ailleurs, l’intégration d’une diode à barrière de Schottky (SBD) SiC à tension directe (VDSF) de seulement -1,35 V (typique) contribue encore à réduire les pertes.

Logé en boîtier TO-3P(N), le nouveau MOSFET TW070J120B permet de concevoir des solutions de puissance à haut rendement, notamment pour les applications industrielles, où la densité de puissance accrue permet aussi de réduire la taille et le poids des équipements.

Les livraisons de ce nouveau dispositif commencent dès aujourd’hui.

http://toshiba.semicon-storage.com/

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