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Nouveaux produits

Scintil Photonics dévoile son circuit intégré photonique silicium

Publication: 7 mars

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La puce optique avec amplificateurs optiques III-V intégrés de Scintil Photonics, prenant en charge un débit de données de 1 600 Gbit/s, permet la meilleure interconnexion possible dans les communications à très haut débit...
 

Scintil Photonics, un fabricant de circuits photoniques intégrés sur silicium intégrant des lasers, annonce aujourd’hui qu’il va dévoiler son prototype de circuit intégré photonique silicium augmenté au matériaux III-V à la conférence OFC 2022.

Le circuit intégré photonique de Scintil est une solution à puce unique. Il comprend tous les composants actifs et passifs fabriqués à partir de matériaux photoniques sur silicium standard disponibles dans les fonderies commerciales, avec des amplificateurs et/ou lasers optiques III-V intégrés à l’arrière des circuits photoniques avancés au silicium.

La solution de Scintil permettra d’accélérer à la fois les communications dans les centres de données, le calcul haute performance (High-Performance Computing - HPC) et les réseaux 5G, principaux utilisateurs d’émetteurs-récepteurs optiques. Ce marché devrait atteindre 20,9 milliards de dollars en 2026, avec un taux de croissance annuel composé de 14 % pour 2021-2026.

« Nous sommes très heureux d’annoncer notre prototype de circuit intégré lors de la conférence OFC cette année », déclare Sylvie Menezo, PDG de Scintil Photonics. « L’étroite collaboration avec une fonderie Silicium standard a été essentielle pour atteindre cette étape de fabrication, ce qui permet des niveaux d’intégration et de performance sans précédent. Scintil travaille déjà avec trois clients de pointe, et il est fondamental pour eux que nous puissions prototyper et produire dans des fonderies commerciales de silicium à grands volumes, en utilisant des processus standards multi-clients. »

Caractéristiques techniques et principaux avantages

Le prototype de circuit intégré de 1 600 Gbit/s intègre des modulateurs au silicium et des photodétecteurs au germanium de pointe prenant en charge 56 GBaud PAM 4, avec des amplificateurs optiques III-V intégrés. Cette technologie de rupture pour les circuits intégrés offre la capacité de fournir de hauts débits de façon consistante et durables grâce à la parallélisation et à l’augmentation des débits à un coût compétitif par gigabit par seconde. Le circuit intégré exploite le collage moléculaire de matériaux III-V sur du silicium pour intégrer des amplificateurs optiques et/ou lasers.

Avantages clés destinés à résoudre les défis de l’industrie :

- La réduction considérable du nombre de composants et d’alignements actifs, ce qui se traduit par une meilleure rentabilité ;

- Pouvoir répondre à la fois au marché des émetteurs-récepteurs enfichables et aux exigences en matière d’optique co-package pour rapprocher la puce optique des unités de traitement hautes performances (high-performance processing units - XPU) dans les environnements de centres de données ;

- L’herméticité inhérente du système élimine le besoin de recourir à des packages hermétiques.

Sylvie Menezo participera à la conférence « Emerging photonic interconnects and architectures for femtojoule per bit intra data center links networks » lors du symposium de l’OFC, le mardi 8 mars 2022, de 14h à 18h30 (PST).

Scintil Photonics sera présent au stand #5227 à la conférence OFC, San Diego (Californie), du 8 au 10 mars 2022.

https://www.scintil-photonics.com/

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