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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») vient de lancer un nouveau MOSFET de puissance canal N 150 V, obtenu grâce au procédé U-MOSX-H qui réduit les pertes de manière significatives. Ce nouveau MOSFET réduit les pics de tension entre drain et source lors de la commutation, améliorant ainsi les performances EMI des alimentations à découpage.

Ce nouveau dispositif convient à un large éventail d’applications, notamment les alimentations à découpage utilisées dans les équipements industriels, les stations de base de communication et les centres de données.

Ce nouveau MOSFET TPH9R00CQH présente une très faible résistance drain-source à l’état passant (R DS(ON) ) de seulement 9,0 mΩ (maximum avec V GS = 10V). C’est environ 42% de moins que le dispositif 150 V existant (TPH1500CNH), qui est basé sur le processus U-MOSVIII-H de génération actuelle. Les deux facteurs de mérite (FoM) principaux, à savoir R DS(ON) x Q SW et R DS(ON) x Q OSS , ont été réduits d’environ 20% et 28% respectivement, ce qui améliore encore les performances.

L’optimisation minutieuse de la structure du dispositif a permis d’améliorer les caractéristiques de charge. Avec une charge de grille totale (Qg) de seulement 44 nC et une charge de commutation de grille (QSW) de 11,7 nC, le dispositif offre d’excellentes performances, notamment pour les applications à haute fréquence.

Le nouveau TPH9R00CQH est disponible en deux versions de boîtier pour montage en surface (CMS) : SOP Advance (5,0 x 6,0 mm) et SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm), afin de pouvoir répondre aux besoins de toute application.

Ce nouveau dispositif est livrable dès aujourd’hui.

Toshiba va continuer d’élargir sa gamme de MOSFET de puissance pour améliorer le rendement des alimentations électriques en en diminuant les pertes, et ainsi de réduire la consommation d’énergie de nombreux types d’équipements.

https://toshiba.semicon-storage.com/