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Farnell annonce la mise à disposition des derniers produits EliteSiC hautement optimisés en carbure de silicium (SiC) pour les solutions d’infrastructure énergétique d’onsemi. Ces nouveaux appareils répondent aux exigences de performance de nouvelle génération grâce à leurs pertes de commutation réduites dans des conditions réelles par rapport à leurs concurrents.

L’accélération de la transition vers la décarbonisation déplace la demande vers l’installation d’un plus grand nombre de systèmes d’infrastructure énergétique comprenant des chargeurs rapides DC (DCFC), des onduleurs solaires et des systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS).

Adopter des étages de puissance à base de carbure de silicium est essentiel pour réduire les pertes de puissance, augmenter la densité de puissance et réduire les coûts de refroidissement. La sélection de dispositifs d’alimentation SiC très robustes construits avec une fiabilité pour l’infrastructure est un élément clé de la conception de systèmes d’infrastructure énergétique robustes et durables. Les produits d’onsemi peuvent raccourcir les temps de développement tout en dépassant les normes de densité de puissance et en réduisant les pertes de puissance.

Les applications typiques des dispositifs EliteSiC d’onsemi, désormais disponibles auprès de Farnell, incluent des onduleurs, des convertisseurs DC/DC, des onduleurs boost, des onduleurs solaires, des stations de recharge de véhicules électriques et des systèmes d’alimentation industrielle. Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la norme RoHS.

Les produits d’onsemi actuellement disponibles auprès de Farnell comprennent :

 Alimentation EliteSiC, à canal N unique : avec des fonctionnalités telles qu’un RDS(on) = 80 m typique, une charge de grille ultra faible (typiquement QG(tot) = 56 nC), une faible capacité de sortie effective (typiquement Coss = 79 pF), une TJ = 175 °C et 100 % testée en avalanche

 MOSFET EliteSiC NXH006P120MNF2 : un module de puissance contenant un demi−pont de MOSFET SiC 6 m/1 200 V et une thermistance dans boîtier F2. Les options incluent la fourniture avec ou sans matériaux d’interface thermique (TIM) pré-appliqués et des broches soudables ou à pressées.

Adrian Cotterill, Global Product Segment Lead, Discrete Transistors & WBG chez Farnell, a déclaré : « Il s’agit d’un ajout clé à la gamme de Farnell qui garantira que les systèmes d’infrastructure énergétique sont développés à l’aide des composants du meilleur calibre les plus performants pour lesquels onsemi est réputé. Ces nouveaux produits SiC hautement optimisés répondent aux dernières exigences de performance des applications finales des infrastructures énergétiques. »

Onsemi est à l’origine d’innovations visionnaires pour aider à construire un avenir meilleur. En mettant l’accent sur les marchés finaux de l’automobile et de l’industrie, la société accélère l’évolution des mégatendances telles que l’électrification et la sécurité des véhicules, les réseaux d’énergie durable, l’automatisation industrielle et les infrastructures 5G et cloud. Avec un portefeuille de produits reconnus pour leurs différences et innovants, onsemi crée des technologies d’alimentation et de détection intelligentes qui résolvent les défis les plus complexes du monde et ouvre la voie à la création d’un monde plus sûr, plus propre et plus intelligent.

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