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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé une nouvelle série de MOSFET de puissance à canal N. Le premier produit de la série DTMOSVI 600V est le TK055U60Z1, basé sur le processus de dernière génération de Toshiba avec une structure de super jonction.

Le nouveau MOSFET présente un R DS(ON) de seulement 55 mΩ, soit une amélioration de 13 % par rapport aux composants similaires de la série DTMOSIV-H de la société. De plus, le R DS(ON) x Q GD , qui est le facteur de mérite pour les performances MOSFET, est amélioré d’environ 52 %. Les applications cibles incluent les alimentations à découpage à haut rendement dans les centres de données, les conditionneurs d’alimentation pour les générateurs photovoltaïques et les systèmes d’alimentation sans interruption.

Le nouveau produit utilise le boîtier populaire TOLL, qui comporte une connexion Kelvin pour le terminal source du signal. Par conséquent, l’inductance du fil source a moins d’impact, réduisant l’oscillation de commutation, ce qui améliore les performances de commutation lorsque le MOSFET fonctionne à des vitesses de commutation élevées. La mise en forme des broches garantit des connexions de soudure appropriées, augmente la fiabilité du montage et facilite l’inspection visuelle.

La température maximale du canal (Tch) du nouveau produit est de 150°C. Le R DS(ON) typique de 47 mΩ est spécifié à une tension grille-source de 10 V.

La charge de grille totale typique (Qg), la charge grille à drain (Qgd) et la capacité d’entrée (Ciss) sont respectivement de 65 nC, 15 nC et 3680 pF. Ces facteurs permettront au nouveau composant de commuter aux vitesses les plus rapides possibles.

Toshiba continuera d’étendre sa gamme de produits de la série DTMOSVI 600 V, ainsi que les produits de la série DTMOSVI 650 V déjà commercialisés, afin de faciliter la conservation de l’énergie en réduisant les pertes de puissance dans les alimentations à découpage.

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