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Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) a lancé un MOSFET canal N à drain commun de 12 V avec un courant nominal de 20 A, destiné aux circuits de protection des packs de batteries lithium-ion (Li-ion), tels que ceux couramment utilisés pour les smartphones, les tablettes, les banques d’alimentation, les appareils photo numériques compacts, les appareils photo numériques SLR et d’autres applications similaires.

La sécurité des batteries Li-ion est renforcée par des circuits de protection très robustes qui réduisent la production de chaleur lors de la charge et de la décharge. Afin d’atteindre les performances de charge requises, ces circuits doivent avoir une faible consommation d’énergie. Compte tenu de la nature compacte de ces solutions, les MOSFET appropriés doivent être petits et minces tout en offrant de faibles niveaux de résistance à l’allumage.

Le nouveau SSM14N956L de 20A est conçu pour une tension source à source (VSSS) de 12V et utilise le microprocessus de Toshiba, comme avec le SSM10N954L de 13,5A déjà commercialisé. De ce fait, d’excellentes caractéristiques de faible résistance à l’allumage (RSS(ON)), aussi basses que 1 mÙ, sont garanties ce qui limite les pertes de conduction. De plus, ce processus fournit un faible courant de fuite grille-source (IGSS) de ± 1 µA (max.), ce qui permet une faible consommation d’énergie en veille. Ensemble, ces caractéristiques assurent un fonctionnement prolongé de la batterie entre les charges.

Afin de s’adapter aux espaces restreints disponibles dans ces applications, le nouveau SSM14N956L est conçu comme un boîtier à l’échelle de la puce, connu sous le nom de TCSPED-302701. Ses dimensions sont de seulement 2,74 mm x 3,0 mm avec une hauteur typique de seulement 0,085 mm.

Les livraisons du nouveau composant démarrent aujourd’hui et Toshiba continuera à développer des produits MOSFET pour les circuits de protection des appareils alimentés par des batteries lithium-ion.

https://toshiba.semicon-storage.com/