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Innoscience Technology, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation à haute performance et à faible coût au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), a annoncé une nouvelle gamme de HEMT discrets à faibles tensions dans un emballage FCQFN. Évalué à 40 V, 100 V et 150 V, le formatage « flip chip » le rend simple à utiliser pour les ingénieurs.

Le Dr Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe, commente : « Nous proposons encore tous nos dispositifs discrets dans des boîtiers à l’échelle d’une tranche, ce qui est avantageux pour certains utilisateurs de modules. Cependant, les nouveaux dispositifs FCQFN sont faciles à monter sur des PCB à l’aide d’un équipement d’assemblage et des processus standards. »

Les dispositifs FCQFN de 40 V sont disponibles avec une valeur de résistance à l’état passant de 4,3 mÙ (taille de puce 3x4 mm). Les HEMT 100 V sont proposés avec des valeurs RDS(on) de 2,8 mÙ (3x5 mm) et 1,8 mÙ (4x6 mm), tandis que les pièces 150 V mesurant 4x6 mm sont disponibles avec 3,9 mÙ et 7 mÙ RDS(on).

Les pièces 40 V utilisant les derniers processus GaN d’Innoscience atteignent des performances de pointe avec les meilleures valeurs de facteur de mérite (FOM) de leur catégorie pour Qgg*Ron et Idss*Ron.

Les faibles courants de fuite de drain et de grille des composants leur permettent d’être utilisés sur les marchés mobiles et dans les applications connectées directement à la batterie. D’autres applications incluent les convertisseurs Buck-Boost USB Type C dans les ordinateurs portables. De plus, grâce à son procédé de dernière génération, Innoscience maintient un contrôle très strict de l’épitaxie, ce qui se traduit par une tension de seuil et une résistance à l’état passant très uniformes, conduisant à un rendement de tranche très élevé.

Les appareils 100 V conviennent à la conversion DC/DC à des niveaux de puissance allant jusqu’à 2 kW, en raison de leur très faible résistance à l’état passant. Lorsqu’il est utilisé en configuration parallèle, des niveaux de puissance allant jusqu’à 8 kW peuvent être atteints.

Le nouveau 150 V cible les applications industrielles, notamment les installations solaires. Ils ont été conçus pour être très robustes et ne nécessitent donc pas l’application du déclassement standard de 80 % (c’est-à-dire qu’ils sont évalués à 100 % de leur tension). Tous les nouveaux HEMT 40 V, 100 V et 150 V ont été testés et ont dépassé les normes JEDEC et JEP 180 spécifiques au GaN.

Un dernier point important à souligner est que les HEMT 1,8 mÙ 100 V sont compatibles broche à broche avec les nouveaux composants 3,9 mÙ et 7 mÙ 150 V car ils sont tous conditionnés en FCQFN 4x6 mm : cela permet une grande flexibilité de conception.

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