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Innoscience, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation à haute performance et à faible coût au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), a annoncé aujourd’hui de nouvelles solutions à faible RDS(on), des dispositifs haute puissance dans sa famille toujours plus large de transistors de puissance à mode amélioré 650 V/700 V. De nouveaux modèles RON 30, 50 et 70 mÙ sont disponibles dans un boîtier TOLL (TO-sans broche) standard de l’industrie. La partie 70 mÙ est également disponible en modèle DFN 8x8.

Le Dr Pengju Kong, vice-président de l’ingénierie de conception de produits chez Innoscience, commente : "Les dispositifs d’alimentation GaN réduisent la conversion d’énergie. Avec un Ron Qg (Total Gate Charge) 10 fois supérieur à celui des dispositifs au silicium, les pièces GaN permettent une fréquence plus élevée et un meilleur rendement. La haute fréquence signifie des passifs plus petits, facilitant des systèmes à densité de puissance plus élevée qui sont souvent aussi moins chers. De plus, comme les dispositifs d’alimentation GaN n’ont pas de diode physique, il n’y a pas de courant de récupération inverse. Cela conduit à une topologie système plus simple et moins coûteuse tout en maintenant ou en augmentant les performances."

Membres d’une nouvelle plateforme de produits haute puissance d’Innoscience, les nouveaux appareils INN650TA0x0AH et INN650DA070AH (DFN) répondent aux défis de plusieurs secteurs du marché. Par exemple, avec la technologie Silicon, il est difficile d’atteindre les dernières normes d’efficacité tout en conservant une petite taille de bloc d’alimentation. Une démo Innoscience basée sur le transistor GaN INN650TA030AH 650 V/30 mÙ montre une conception Totem Pole PFC de 4,2 kW qui répond facilement aux spécifications 80+ Titanium Plus. Les centres de données gourmands en énergie exigent désormais 1 à 2 kW/rack. À l’aide de ses nouveaux HEMT, Innoscience a développé un bloc d’alimentation de 4,2 kW avec une densité de puissance de 130 W/po3 qui répond à plus de 80 valeurs Titanium Plus. À titre de comparaison, un fournisseur bien connu de blocs d’alimentation pour de telles applications utilisant des dispositifs au silicium cite 46 W/pouce3, ce qui donnerait un produit 40 % plus grand.

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