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Nouveaux produits

Microsemi Introduit une solution de remplacement pour les boîtiers de Micron Technology utilisés dans les processeurs TI

Publication: Août 2011

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Un petit boîtier évite de modifier la conception de la carte et lui confère plus de sécurité...
 

leader dans les technologies de semiconducteurs se focalisant sur l’énergie, la sécurité, la fiabilité et la performance, annonce un nouveau composant mémoire multichip (MCP) permettant un remplacement immédiat du boîtier mémoire (qui n’est plus fabriqué) de Micron utilisé dans les processeurs de Texas Instruments (TI). Le MS29C2G24MAKLA1-XI est le premier membre d’une famille qui va s’étendre et est disponible actuellement. Cette nouvelle solution est compatible avec la famille de processeurs TI intégrés dans les boitiers BGA (ball grid array) 152 broches PoP (package-on-package) fin de vie (EOL) de Micron Technology. Ce boîtier de remplacement permet d’éviter de reconcevoir les circuits imprimés, d’où gain de temps, tout en protégeant les conceptions actuelles des utilisateurs.

Cette famille de composants Microsemi est compatible avec les processeurs Sitara™, OMAP™, et DaVinci™ de TI. Le produit initial a la même empreinte que le MT29C2G24MAKLACG-XIT de Micron, remplaçant ce produit en fin de vie. Parmi les autres caractéristiques, on trouve une mémoire flash LPDDR et LPDDR+ et une conception spécifique pour supporter les processeurs OMAP35xx, AM37x et DM37x de TI.

Points clés

- Prolonge la vie de composants mémoire dans un boitier 152BGA actuellement en fin de vie de Micron Technology avec les mêmes forme, capacités et fonctions

- Evite de devoir refaire la conception du circuit imprimé tout en protégeant les conceptions actuelles

- Supporte les processeurs TI qui utilisent une puce de support mémoire PoP

La mémoire MS29C2G24MAKLA1-XI de Microsemi (OMAP MCP) intègre une Flash NAND SLC 2G (x16) et une mémoire de combinaison MCP Mobile LPDDR 1G (x32) avec des interfaces séparées dans un boîtier BGA 152 broches de 14mm x 14mm avec un pas de 0,65mm. Une mémoire flash 1,8 volt et LPDDR 1,8V avec une plage de température industrielle de -40°C à +85°C et un fonctionnement faible consommation complètent ses caractéristiques. La société a prévu d’offrir des versions 4G-2G et 2G LPDDR dans le courant de l’année.

http://www.microsemi.com

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