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Dotés d’une très faible résistance à l’état passant (Rds(on)), ces nouveaux MOSFET sont conçus pour un large spectre d’applications industrielles incluant l’outillage électrique, les inverseurs pour véhicules électriques légers, les commandes de moteurs DC, la protection de batteries Li-ion et le redressement synchrone côté secondaire des alimentations à découpage ou SMPS (Switched Mode Power Supply).

Disponibles en boîtiers traversant et type montage en surface, cette famille étendue de StrongIRFET™ 60 V comprend l’IRF7580M. Encapsulé dans un boîtier DirectFET® Medium Can (ME) ultra-compact et de faible épaisseur, il délivre une forte densité de courant tout en réduisant l’encombrement et le coût du système global, et convient aux applications industrielles compactes de forte puissance.

Cette famille de 19 MOSFET de puissance StrongIRFET™ 60 V présente une résistance à l’état passant (Rds(on)) extrêmement faible, améliorant les performances en basses fréquences, une très forte capacité en courant, une diode intrinsèque douce et une tension de déclenchement typique de 3 V qui améliore l’immunité au bruit. Chacun de ces composants est testé à 100 % contre les niveaux de courant d’avalanche les plus élevés, afin d’offrir la solution la plus robuste aux applications industrielles exigeantes.

Comme pour les autres membres de la famille DirectFET®, l’IRF7580M en boîtier Medium Can présente une construction sans fils de liaison (wire bonding), d’où une meilleure fiabilité. De plus, le boîtier DirectFET® répond complètement aux exigences du standard RoHS, notamment au niveau de l’utilisation de matériaux sans plomb, et convient donc parfaitement aux applications à longue durée de vie. Les autres boitiers de puissance équivalents utilisent une attache de puce en plomb, tirant ainsi parti de l’exemption 7(a) de la norme RoHS, laquelle expirera en 2016.

http://www.irf.com.