Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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L’emménagement dans ces nouveaux locaux, au coeur
de la communauté de hautes technologies de Kanata, a
été rendu nécessaire par la croissance de la société au
cours des douze derniers mois, et par les prévisions de
poursuite de croissance rapide à mesure que les dispositifs
de GaN remplacent les semiconducteurs de silicium
traditionnels dans les applications de contrôle et
conversion d’énergie du monde entier.
« Nous sommes engagés dans une croissance à long terme qui s’annonce rapide, et ce nouvel établissement nous apporte les ressources et les capacités dont nous avons besoin pour passer rapidement de la R&D à la commercialisation cette année, » déclare Jim Witham, CEO.
Le nouveau siège et centre de R&D est trois fois plus étendu que les précédents locaux de GaN Systems, et la surface des laboratoires est multipliée par dix. Ces laboratoires disposent de leurs propres sources d’énergie et de refroidissement, ce qui est crucial, comme l’explique Girvan Patterson, co-fondateur et Président :
« Lorsque vous produisez des dispositifs capables de commuter 200 A ou plus, seules des installations spécialisées permettent de les tester à fond. La puissance disponible dans cette localité et nos laboratoires dédiés nous permettront d’explorer complètement les applications les plus puissantes et d’accélérer considérablement le test de fiabilité à long terme de nos dispositifs. »
Le nombre d’employés a déjà augmenté significativement au cours des six derniers mois, et GaN Systems continue à étendre son équipe dans le monde à mesure que sont commercialisés ses dispositifs pour conversion d’énergie, basés sur sa technologie propriétaire Island®. GaN Systems est considéré comme le premier sur le marché à échantillonner une large gamme de composants.
