Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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GLOBALFOUNDRIES et STMicroelectronics (NYSE : STM) annoncent ce jour que ST a choisi la plateforme technologique FD-SOI en 22 nm (22FDX®) de GLOBALFOUNDRIES pour supporter ses processeurs de prochaine génération destinés aux applications industrielles et grand public.
Après avoir déployé la première plateforme technologique FD-SOI (Fully Depleted-Silicon-On-Insulator) en 28 nm de l’industrie, ST étend son engagement et sa feuille de route en adoptant la filière et l’écosystème 22FDX prêts à entrer en production de GLOBALFOUNDRIES pour réaliser des solutions FD-SOI de deuxième génération dédiées aux systèmes intelligents de demain.
« La technologie FD-SOI convient idéalement aux applications dont le coût représente un paramètre sensible et qui exigent d’importantes capacités de traitement et de connectivité, ainsi qu’une faible consommation d’énergie », a déclaré Joël Hartmann, vice-président exécutif, Digital Front-End Manufacturing & Technology, STMicroelectronics. « Les avantages de coûts et de rendement énergétique offerts par la plateforme 22FDX de GlobalFoundries, auxquels viennent s’ajouter notre vaste expérience de conception et notre base IP en technologie FD-SOI, permettront à nos clients de bénéficier d’une valeur hors pair sur le triple plan de la consommation, des performances et des coûts. Nous comptons sur le site de Dresde de Globalfoundries pour la fabrication des produits utilisant cette technologie ».
« ST s’est forgé un solide palmarès avec la technologie FD-SOI », a déclaré Alain Mutricy, senior vice-president en charge de la gestion des produits chez GLOBALFOUNDRIES. « L’ajout de notre plateforme 22FDX, associé à la longue expérience acquise par ST dans le domaine des nouvelles technologies et des nouveaux produits, permettra à nos deux sociétés de réaliser des produits FD-SOI différenciés au noeud 22 nm. »
En complément de la filière FinFET, la plateforme FDX polyvalente de GLOBALFOUNDRIES permet d’intégrer des fonctions numériques, analogiques et RF sur une seule puce, et aux clients de concevoir des solutions système intelligentes et entièrement intégrées. Cette technologie est particulièrement adaptée aux circuits intégrés qui exigent des performances « à la demande » et un haut rendement énergétique à moindre coût ; elle constitue à ce titre une option idéale pour un large éventail d’applications, des objets connectés jusqu’aux applications d’intelligence artificielle et les véhicules autonomes.
