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Nouveaux produits

Farnell propose désormais les modules Infineon EasyPIM™ IGBT7

Publication: 24 mai

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Le nouveau module Easy offre une conception simple qui raccourcit vos délais de mise sur le marché, tout en permettant de réaliser des économies sur les entraînements industriels...
 

Farnell, le partenaire de vos développements, propose désormais le nouveau TRENCHSTOP™ IGBT7 1 200 V et la diode EC7 contrôlée par émetteur d’Infineon. Emballé dans le célèbre boîtier Easy, cet EasyPIMTM IGBT7 offre une densité de puissance plus élevée, un coût système réduit et une taille réduite du système. Les technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 1 200 V et de diode EC7 sont basées sur la dernière technologie de tranchées à micromotifs et sont optimisées pour les applications d’entraînement industriel, ce qui réduit les pertes statiques pour répondre aux exigences en matière d’efficacité énergétique, de commutation plus souple et de contrôlabilité améliorée. De plus, en augmentant la température de jonction de surcharge maximale autorisée des puces jusqu’à 175 °C dans le module d’alimentation, vous pouvez obtenir une bien meilleure densité de puissance.

Le TRENCHSTOP™ IGBT7 1 200 V est disponible dans une gamme de modules ; l’EasyPIM™ 1B 1 200 V (modules d’alimentation intégrés) avec options 10 A et 25 A et le module IGBT sixpack 1 200 V EasyPACK™ 2B 1 200 V 100 A. Les nouveaux modules sont conçus avec la même broche que les modules TRENCHSTOP IGBT4, ce qui aide les ingénieurs concepteurs à réduire les efforts de conception. Les nouveaux modules permettent également un courant de sortie plus élevé dans le même boîtier ou un courant de sortie similaire dans un boîtier plus petit, ce qui permet de concevoir des onduleurs plus compacts, le cas échéant. Tous les types de modules sont équipés de la technologie de montage PressFit d’Infineon pour une faible résistance ohmique et un temps de traitement réduit.

Principaux avantages de TRENCHSTOP™ IGBT7

- Faibles pertes : la nouvelle technologie de puce permet de réduire considérablement les pertes avec une faible tension V ce(sat) optimisée.

- Valeurs dv/dt optimisées pour 2-8 kV/µs, conçues pour les applications d’entraînement.

- Le court-circuit est conçu pour de meilleures performances, 8 µs à 150 °C suffisent pour l’application d’entraînement.

- La commande de grille est plus simple et optimisée pour les conditions d’application. Seule une résistance de grille suffit au contrôle.

- L’augmentation de T vjop jusqu’à 175 °C augmente la densité de puissance.

- V ce (sat) haut de gamme.

- Fonctionnement à 175 °C en surcharge.

- Contrôlabilité améliorée optimisée pour les applications d’entraînement.

- Densité de puissance plus élevée, même puissance dans un boîtier réduit de 35 %.

Les modules TRENCHSTOP™ IGBT7 1 200 V et de diode EC7 contrôlés par émetteur d’Infineon sont disponibles auprès de Farnell dans la zone EMEA, de Newark en Amérique du Nord et de element14 en APAC.

http://fr.farnell.com/

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