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Actualité des entreprises

A*STAR et STMicroelectronics initient une collaboration en R&D

Publication: 25 novembre

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Une collaboration en R&D sur le carbure de silicium pour le marché des véhicules électriques et des applications industrielles. Cette collaboration contribuera au développement de l’écosystème SiC à Singapour...
 

L’Institut de Microélectronique rattaché à l’Agence singapourienne pour la science, la technologie et la recherche (A*STAR), et STMicroelectronics, un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, annoncent le début d’une collaboration en recherche et développement (R&D) dans le domaine du carbure de silicium (SiC) pour les applications d’électronique de puissance destinées aux marchés de l’automobile et de l’industriel. Cette collaboration pose les fondations d’un écosystème complet dédié à la technologie SiC à Singapour, et crée des opportunités pour d’autres entreprises souhaitant entreprendre des activités de recherche sur le carbure de silicium avec l’IME et ST.

Les solutions en carbure de silicium (SiC) peuvent surpasser les dispositifs traditionnels en silicium (Si) utilisés dans l’électronique de puissance pour les véhicules électriques (VE) et les applications industrielles afin de répondre au besoin en modules de puissance plus compacts, générant une puissance de sortie plus élevée, ou pouvant fonctionner à des températures accrues. Dans le cadre de cette collaboration de recherche, l’Institut de Microélectronique rattaché à l’agence A*STAR et STMicroelectronics ont pour objectif de développer et d’optimiser des composants intégrés en SiC et des modules de puissance (package modules) afin d’accroître de manière significative les performances des circuits d’électronique de puissance de nouvelle génération.

« Nous sommes ravis de collaborer avec STMicroelectronics pour développer des technologies de pointe qui répondent aux besoins du marché en plein essor des véhicules électriques. Ces initiatives contribueront à ancrer les activités de R&D à forte valeur ajoutée à Singapour et à renforcer sa réputation de centre régional attractif pour la recherche, l’innovation et les entreprises », a déclaré le professeur Dim-Lee Kwong, directeur exécutif de l’Institute of Microelectronics (IME).

« Cette nouvelle collaboration avec l’IME favorise la croissance d’un écosystème autour du carbure de silicium à Singapour, une région où nos activités de fabrication montent en puissance, en plus de celles de Catane (Sicile). Cette collaboration pluriannuelle nous permettra d’intensifier les activités de R&D à travers le monde dans nos programmes existants menés depuis Catane et Norrköping (Suède) qui couvrent l’ensemble de la chaîne de valeur du SiC », a déclaré Edoardo Merli, directeur général de la macro-division Transistors de puissance et Vice-Président du Groupe Produits automobiles et discrets de STMicroelectronics. « Les solides connaissances et l’expertise de l’IME dans les matériaux à large bande (WBG), en particulier dans le SiC, nous permettent d’accélérer le développement de nouvelles technologies et de nouveaux produits visant à relever les défis de la mobilité durable et de l’efficacité énergétique dans un large éventail d’applications. »

https://www.a-star.edu.sg/

https://www.st.com/

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