Texas Instruments (TI), leader dans le domaine des solutions de semiconducteurs haute tension, annonce que LITEON Technology a retenu le transistor à effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) hautement intégré LMG3522R030 ainsi que les microcontrôleurs en temps réel C2000TM TMS320F28003x pour équiper son tout dernier bloc d’alimentation de serveur haute performance à destination du marché nord-américain. Grâce aux composants de TI, cette nouvelle alimentation garantira une puissance volumique supérieure à 95 W/in³ et respectera les critères de la norme 80 Plus Titanium.
« Notre collaboration avec LITEON est un exemple de la manière dont TI aide les ingénieurs à répondre aux nécessités des systèmes haute tension grâce à son savoir-faire complet et à son portefeuille spécialisé de semiconducteurs dédiés », déclare Luke Lee, vice-président de TI pour l’Asie et président pour Taïwan, la Corée et l’Asie du Sud. « En associant les avantages des produits au nitrure de gallium et des microcontrôleurs en temps réel C2000TM de TI, les concepteurs sont en mesure de proposer des systèmes plus fiables et plus compacts pour répondre à la demande ».
LITEON Technology est l’un des principaux fournisseurs mondiaux de solutions de gestion de la puissance, et propose des alimentations hautement efficaces à destination des centres de données. « LITEON est un leader dans le domaine des alimentations de serveurs, et a relevé les défis des nouvelles technologies grâce à des solutions innovantes », se félicite John Chang, directeur général chargé de la division Infrastructure et plateforme de cloud chez LITEON. « Les serveurs hautes performances demandent toujours plus d’énergie dans des espaces toujours plus restreints, où la puissance en sortie élevée, l’efficacité de conversion, la miniaturisation des composants et la dissipation de chaleur constituent des défis cruciaux. La technologie au nitrure de gallium et les microcontrôleurs en temps réel C2000 de TI sont parfaitement adaptés à nos solutions. »
Les centres de données, les équipements de télécommunication, mais aussi de nombreuses applications industrielles nécessitent une quantité d’énergie toujours plus importante, tout en imposant des restrictions toujours plus strictes en termes de taille et de poids des systèmes, d’impact environnemental et de coût. Cet état de fait pousse les ingénieurs à explorer de nouveaux moyens d’atteindre un niveau de puissance élevé sur des systèmes de même format, voire plus compacts, et à renforcer leurs performances thermiques. Afin de répondre à ces défis autour de la densité de puissance et de respecter les exigences des systèmes d’alimentation à venir, LITEON s’est tourné vers le transistor au nitrure de gallium et les microcontrôleurs en temps réel C2000 de TI, qui ont permis la conception d’une carte fille flexible. Ce choix aide également les ingénieurs à raccourcir les cycles de conception de leurs projets en leur offrant la possibilité d’adapter les systèmes à différentes exigences d’alimentation.
Les concepteurs de LITEON ont collaboré avec les experts de TI pour accélérer l’intégration de la technologie au nitrure de gallium dans la conception de leur bloc d’alimentation, œuvrant de concert à optimiser la boucle de puissance et la configuration de la carte fille. De surcroît, LITEON a bénéficié de l’expertise de TI en matière de transistors à effet de champ et de contrôleurs de puissance, et ainsi amélioré la fiabilité du bloc d’alimentation grâce à une vérification complète au niveau du système. La technique d’actionnement à modulation de largeur d’impulsions (MLI) haute résolution flexible permise par les microcontrôleurs en temps réel C2000 et la technologie au nitrure de gallium de TI aide également les concepteurs à mettre en place une fréquence de commutation élevée, des topologies avancées et des schémas de commutation.