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Conformément à l’accord, Mouser proposera les gammes de CI de puissance GaNFast™ et GaNSense™ de Navitas ainsi que la gamme de diodes et MOSFET de puissance SiC GeneSiC™. Ces semiconducteurs très efficaces permettent des performances haute fréquence pour les applications comme les véhicules électriques, les appareils à charge rapide, l’électronique grand public, les énergies alternatives et les solutions industrielles.

« Mouser est heureux d’ajouter ce solide leader de l’industrie à sa gamme de produits et de fournir ces dispositifs d’alimentation innovants à ses clients », confie Kristin Schuetter, Vice-présidente de la gestion des fournisseurs chez Mouser. « Les ingénieurs concepteurs ont désormais facilement accès aux composants avancés de Navitas. Ils sont en outre soutenus par le service client inégalé de Mouser et sa logistique de premier ordre. Nous nous réjouissons de ce partenariat très fructueux. »

« L’ajout de pièces GaNFast à la gamme GeneSiC existante augmente considérablement la notoriété, l’intérêt et, en fin de compte, les revenus de Navitas via la plateforme de distribution bien établie de Mouser », explique David Carroll, Vice-président senior des ventes mondiales chez Navitas Semiconductor. « Les produits de nouvelle génération, la facilité d’utilisation, la disponibilité immédiate et l’excellente assistance technique signifient que les concepteurs de composants de puissance peuvent rapidement fournir des prototypes de haute qualité avec des solutions SiC et GaN, dans les délais et adaptés à la production en série. »

Les CI de puissance GaNFast permettent des fréquences de commutation six fois plus élevées que les solutions GaN discrètes, ce qui permet d’augmenter les économies d’énergie du système, tout en réduisant sa taille et son poids. Ils sont faciles à utiliser et compatibles avec une gamme de topologies et de contrôleurs populaires. Les CI de puissance GaNFast intègrent de manière monolithique l’alimentation, le pilotage et le contrôle GaN, afin de créer un bloc de construction « entrée numérique, sortie électrique » simple d’emploi, à grande vitesse et à hautes performances. Ces CI permettent une charge jusqu’à 3 fois plus rapide avec une taille et un poids moitié moins grands que l’ancienne électronique de puissance à base de silicium ou 3 fois plus de puissance sans augmentation de la taille ou du poids.

Les CI de puissance GaNFast dotés de la technologie GaNSense intègrent des circuits de détection et de protection critiques, autonomes et en temps réel, qui améliorent encore la fiabilité et la robustesse des dispositifs Navitas, à la pointe de l’industrie. Ces solutions révolutionnaires à boîtier unique réduisent le nombre de composants et l’encombrement par rapport aux composants discrets existants, ce qui diminue le coût, la taille, le poids et la complexité du système. Avec une plage de tension d’alimentation comprise entre 5,5 V et 24 V, les CI de puissance GaNFast sont idéaux pour une variété d’applications grand public et d’entreprise.

La gamme de CI de puissance GaNFast offre de multiples avantages en termes d’efficacité et de fiabilité dans des boîtiers PQFN faciles à utiliser, à faible profil et à faible inductance, conformes aux normes de l’industrie. Ces dispositifs permettent de réaliser rapidement des prototypes et d’accélérer la génération de revenus. Ils sont conçus pour permettre la prochaine génération de topologies de commutation logicielle, tout en maximisant la capacité de commutation rapide en MHz du GaN. Ces dispositifs à haut rendement conviennent aux applications mobiles et aux centres de données ainsi qu’aux pilotes de moteur industriels.

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