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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa gamme de dispositifs de protection ESD (Electro-Static Discharge, ou décharge électrostatique) de faible capacité avec le DF4D6.8UG. Le DF4D6.8UG se présente en boîtier WCSP4B (Wafer-level Chip Scale Package 4B, ou puce nue à 4 billes) et offre une protection ESD pour deux lignes de données haut-débit, tout en réduisant l’empreinte sur carte. Le dispositif est destiné à certaines applications qui sont de plus en plus sensibles aux décharges électrostatiques, à cause de la miniaturisation et de la réduction des tensions présentes dans le système, comme par exemple les interfaces microUSB 2.0 des smartphones.

Il est primordial de minimiser la charge ajoutée à la ligne de données par le dispositif de protection ESD, au niveau de l’intégrité du signal, particulièrement dans le cas de données USB 2.0 haut-débit. La diode DF4D6.8UG, dont la capacité typique est de seulement 1.3 pF, avec une différence de seulement 0.02 pF entre lignes, assure un niveau de protection maximum, tout en conservant la qualité du signal. L’immunité garantie aux décharges électrostatiques par contact est de +/-8kV selon la norme IEC61000-4-2.

Le DF4D6.8UG a une tension minimum de claquage inverse de 6V, et offre une tension de verrouillage typique de 10V. Aucune charge significative n’est appliquée sur la ligne de données, grâce à un courant inverse maximum de seulement 0.1 µA, tandis que la résistance dynamique de 0.7W (typique) assure un niveau de protection élevé en cas de décharge électrostatique.

Grâce à la combinaison de ses deux diodes de protection de ligne en configuration série, le DF4D6.8UG peut également servir aux applications de protection d’interfaces d’antenne radio.

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