Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Tels que les équipements télécom et netcom, les serveurs, les cartes graphiques et les ordinateurs de bureau et portables y compris les Ultrabook™.

Les composants 25V IRFH4251D et IRFH4253D embarquent la dernière génération de technologie silicium d’IR dans un boîtier innovant pour une densité de puissance inégalée en PQFN 5x6 mm. Ces nouveaux circuits Power Block intègrent un FETKY® monolithique et bénéficient d’une technologie de pointe à puce retournée assurant une dissipation efficace de la chaleur depuis la source (les MOSFET synchrones) directement vers les plages de masse du circuit imprimé. Grâce à ces performances thermiques améliorées et à la densité de puissance supérieure, un seul de ces nouveaux composants doubles 5x6 mm peut remplacer deux composants simples 5x6 mm. Ce nouveau boîtier tire également profit de la technologie propriétaire à agrafe cuivre (copper clip), déjà utilisée au sein des produits PowIRStage® et SupIRBuck®, et d’une couche optimisée qui réduit de manière significative l’inductance parasite pour limiter les oscillations. Cela donne la possibilité aux concepteurs d’utiliser des MOSFET 25 V à la place de composants 30 V moins efficaces.

Optimisés pour les applications de commande de grille 5 V, les IRFH4251D et IRFH4253D fonctionnent avec tout contrôleur ou pilote (Driver). Ces composants combinent une grande flexibilité de conception, avec un courant, un rendement et des fréquences supérieures dans un plus faible encombrement que les approches alternatives utilisant deux MOSFET de puissance 30 V discrets.

De plus amples informations sont disponibles sur le site Web d’International Rectifier sur http://www.irf.com/whats-new/nr1308...