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Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’annoncer deux MOSFET ultra-compacts en boîtiers très dissipatifs, spécifiquement développés pour répondre aux besoins de recharge à courant élevé des tout derniers appareils portables.

Les MOSFET SSM6K781G canal-N et SSM6J771G canal-P, se présentent tous deux en boîtier WCSP6C (boîtier réduit à la taille de la puce elle-même) miniature de 1.5 x 1.0 mm offrant une dissipation thermique (PD) nominale de 1.2W. Le boîtier WCSP6C est le meilleur choix pour les applications ne disposant que d’un espace sur carte minimum, dans la mesure où le rapport [encombrement/puissance dissipable] de ce type de boîtier est bien supérieur à celui d’un boîtier moulé conventionnel. Ceci fait de ces MOSFET des candidats parfaits pour la commutation de puissance dans les circuits de charge des tout derniers téléphones portables, tablettes et autres appareils portables compacts, qui nécessitent des courants élevés pour réduire les temps de charge.

Ces nouveaux dispositifs Toshiba combinent une faible résistance à l’état passant (RDS(ON)) et une très faible capacité, ce qui permet leur utilisation dans les circuits de charge et les convertisseurs DC-DC. Les valeurs nominales de RDS(ON) sont typiquement de 14 mΩ (VGSS = 4.5V) pour le SSM6K781G canal-N, et de 26 mΩ (VGSS = -4.5V) pour la version SSM6J771G canal-P.

Le MOSFET SSM6K781G offre un courant DC maximum de 7A nominal, tandis que le SSM6J771G peut accepter jusqu’à -5A, ce qui rend ce dernier particulièrement adapté aux applications de recharge à double cellule, grâce à sa tension de grille maximum VGSS = +/-12V.