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Soitec (Euronext), un leader mondial dans la génération et la production de matériaux semi-conducteurs d’extrêmes performances pour l’électronique et l’énergie, a franchi une première étape vers l’adoption rapide et généralisée de ses substrats propriétaires Enhanced Signal Integrity™ (eSI).

Les substrats eSI de Soitec s’affirment comme le choix de référence pour la fabrication de circuits de radiofréquence (RF) à haute performance et à coût compétitif, tout en apportant le ‘boost’ nécessaire aux applications 4G/LTE. Depuis la mise en production de son substrat eSI, Soitec estime en avoir vendu suffisamment pour fabriquer plus d’1,4 milliard de circuits semi-conducteurs RF « front-end ». Premier fournisseur de ce type de substrats, Soitec demeure le principal acteur du marché des matériaux semi-conducteurs RF.

Fort de ses produits eSI offrant le meilleur rapport coût/performance du marché, Soitec observe une demande très forte et croissante de la plupart des grandes fonderies RF. Ces clients proposent d’ores et déjà des circuits intégrés pour la communication sans fil, fondés sur les substrats eSI, ce qui conduit Soitec à livrer désormais davantage de produits eSI que de substrats SOI à base de wafer haute résistivité (HR-SOI), également utilisés dans la fabrication de circuits RF.

« En très peu de temps, notre produit eSI a été largement adopté par la plupart des grandes fonderies qui en font désormais le substrat de référence pour leurs produits », déclare Bernard Aspar, Directeur de la BU Communication & Power de Soitec. « Cela démontre notre capacité d’innovation dans la technologie SOI et notre aptitude à évoluer rapidement vers une production haut volume. Dans le même temps, nous travaillons déjà sur les produits de prochaine génération afin de répondre aux besoins complexes de la technologie LTE avancée ».

Les substrats eSI de Soitec : Innovants, basés sur la technologie Smart Cut™, les produits eSI de Soitec sont les premiers substrats utilisant un matériau de type « Trap Rich » à être mis en production. Ces substrats, sur lesquels les circuits sont fabriqués, ont un impact significatif sur les performances des produits finaux. Les substrats eSI de Soitec sont obtenus par l’introduction d’un matériau innovant (couche « Trap Rich ») entre la couche hautement résistive (HR) du substrat support et l’oxyde enterré. Cette couche limite la conduction parasite de surface présente dans le HR-SOI standard, améliorant les performances des circuits RF.

Cette couche étant intégrée dans le substrat, le nombre d’étapes nécessaires au procédé de fabrication est réduit et les règles de conception sont assouplies, ce qui conduit à un couple performance-coût de la puce très concurrentiel et à la possibilité d’obtenir pour une même fonction des puces de taille réduite. Les concepteurs de circuits RF peuvent donc intégrer des fonctions diverses telles que les commutateurs, les amplificateurs de puissance et des tuners d’antenne. Le substrat eSI leur apporte une excellente isolation RF, une faible perte d’insertion, une meilleure conductivité thermique et une meilleure intégrité de signal par rapport aux autres technologies.

http://www.soitec.com.