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GaN Systems Inc., un des principaux développeurs de composants à semiconducteur en nitrure de gallium pour la commutation de circuits de puissance, expose ses transistors de puissance en GaN à courant fort 100A, 650V, GS66540C pour la première fois, à la 17ème conférence sur l’électronique de puissance et ses applications, EPE’15 - ECCE Europe. Organisée par le CERN à Genève du 8 au 10 septembre, cette conférence et exposition importante rassemble les principaux acteurs de l’électronique de puissance de l’industrie et les experts d’établissements de recherche et universitaires pour qu’ils partagent leurs connaissances et exposent leurs développements de pointe en technologie de puissance.

Sur le stand 1 au niveau 0, les visiteurs pourront voir les dispositifs de puissance à courant fort GS66540C de GaN Systems, exposés pour la première fois. Faisant partie de la famille de transistors de puissance en nitrure de gallium 650V de l’entreprise, basée sur sa technologie brevetée Island Technology®, ces dispositifs haute densité parviennent à une conversion de puissance extrêmement efficace avec des vitesses de commutation élevées, supérieures à 100V/nS, et une dissipation thermique ultra-faible. Le GS66540C est conditionné dans une forme élaborée du GaNPXT, développé spécialement pour les courants de fonctionnement élevés, et présentant la faible inductance et la grande solidité mécanique pour le montage en surface, requises dans les modules de puissance pour les marchés de l’industrie et de l’automobile. Les composants en quasi-boîtier à puce ne présentent pas de fils soudés et offrent des améliorations radicales en termes de performances de commutation et de conduction par rapport aux MOSFET et IGBT traditionnels en silicium. Des échantillons de ces composants sont maintenant à l’essai chez les principaux clients, y compris des équipementiers et des fabricants de rang 1, et sont incorporés dans des applications solaires, industrielles et automobiles, alors que les fabricants rivalisent pour exploiter la puissance du GaN, dans le but de préserver leur avance sur leurs concurrents. GaN Systems exposera aussi à EPE’15, de multiples plateformes destinées aux clients, y compris un remarquable onduleur de 2kW pour véhicule commercial de Ricardo, la principale entreprise mondiale de technologie de transport.

GaN Systems est la première entreprise à développer et produire un catalogue complet de dispositifs de puissance E-HEMT en GaN avec des courants nominaux de 7A à 250A, dans les deux gammes de tension de 650V et 100V. La conception de puce Island Technology® de GaN Systems, associée à l’inductance extrêmement faible et l’efficacité thermique du conditionnement GaNPXT et de la technologie Drive AssistT, assure à leurs E-HEMT en GaN des performances en commutation et en conduction 45 fois plus élevées que celles des MOSFET et des IGBT en silicium.

http://www.gansystems.com/