Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Toshiba Electronics Europe étend sa famille de MOSFET de puissance pour l’automobile avec un nouveau dispositif Canal-N 40V en boîtier TO-220SM(W) à faible résistance à l’état passant (RDS(ON)). Le TKR74F04PB est parfait pour plusieurs applications automobiles haute-puissance, comme les convertisseurs DC-DC, les directions EPS (Electric Power Steering, ou direction à assistance électrique) ou les commutateurs de charge.

Le TKR74F04PB présente la plus faible[1] RDS(on) du marché des boîtiers CMS 3 broches pour l’automobile. Sa faible RDS(ON) (0.6 milliohm typique, 0.74 milliohm maxi) a pu être obtenue en associant le processus "Trench" Toshiba de 9ème génération, "U-MOS IX", et le boîtier unique Toshiba, TO-220SM(W). Le TO-220SM(W) est doté d’une broche Source plus large et plus courte que les boîtiers D2PAK (TO-263) conventionnels, et contribue à réduire la taille des cartes grâce à son empreinte plus petite.

Le TKR74F04PB répondra aux exigences de qualification automobile AEC-Q101