Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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La croissance continue du trafic de données - à l’origine duquel sont les smartphones, les wearables et les applications comme la réalité virtuelle et l’IoT (Internet of Things, ou internet des objets) - requiert un nombre croissant d’interfaces haut-débit qu’il faut typiquement protéger des phénomènes ESD (Electro Static Discharge, ou décharge électrostatique) Pour répondre à cette demande, Toshiba Electronics Europe vient de lancer de nouvelles diodes de protection ESD basées sur son processus de matrices de diodes ESD de 4ème génération (EAP-IV), qui fait appel à la technologie propriétaire "snapback" de Toshiba.
Les DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N et DF10G6M4N offrent une protection pour les interfaces haut-débit comme les interfaces USB 3.1. Un choix de tensions opérationnelles (3.6V ou 5.5V) et de boîtiers (SOD962 ou DFN10) fournit la souplesse nécessaire pour assurer la protection ESD d’un large éventails de projets.
Grâce au nouveau procédé Toshiba, les quatre dispositifs présentent tous une capacité inférieure, une résistance dynamique inférieure et une endurance ESD élevée. La déformation minimum des signaux de données haut-débit est garantie par la capacitance ultra-faible de 0.2 pF, tandis que la résistance dynamique typique de RDYN=0.5 à garantit des tensions de verrouillage très basses. Des niveaux élevés de protection ESD élevés sont supportés, puisque des tensions de décharge d’au moins ¡À20 kV selon IEC61000-4-2, sont garantis.
Les dispositifs DF2BxM4SL sont particulièrement adaptés aux cartes électroniques très denses, puisque leur boîtier SOD-962 n’occupe que 0.62 x 0.32 mm sur la carte, et peut être placé à proximité des CI ayant besoin de protection ESD. Dans le cas des DF10GxM4N, le boîtier DFN10 peut être simplement placé sur une ligne de bus 4 bits. Cette conception "flow-through" facilite le routage du bus sur la carte électronique, puisqu’aucune pastille supplémentaire n’est nécessaire pour connecter les différentes diodes TVS.
