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Toshiba Electronics Europe a annoncé le lancement d’une nouvelle série de MOSFET dotés d’une architecture à pince active, avec une diode intégrée entre les bornes drain de grille. Alors que l’on cherche toujours à réduire le nombre de composants externes, le SSM3K357R simple et le SSM6N357R double, sont bien adaptés au pilotage de charges inductives, comme des relais mécaniques ou des solénoïdes.

Les nouveaux MOSFET série 357 protègent les drivers des éventuels dommages dûs aux surtensions, comme celles que peuvent provoquer les FCEM (Force Contre Electro-Magnétique) issues de charges inductives. Ils intègrent une résistance "pull-down" (résistance de rappel), une résistance série et une diode Zener, qui permettent de réduire le nombre de composants externes et de gagner de la place sur la carte.

Ces dispositifs sont spécifiés pour une tension drain-source (VDSS) maximum de 60V, et un courant de drain (ID) maximum de 0,65A. La faible résistance à l’état passant (RDS(ON)) de 800 mÙ à VGS = 5.0V assure un bon rendement avec un minimum d’échauffement.

Le SSM3K357R est logé dans un boîtier SOT-23F de 2,9 x 2,4 x 0,8 mm, et convient très bien à la commande de relais ou de solénoïde, grâce à sa tension opérationnelle de seulement 3,0V. Ce dispositif étant qualifié AEC-Q101, il convient aussi bien à l’automobile qu’à de nombreuses applications industrielles.

Le SSM6N357R double se présente en boîtier TSOP6F de 2,9 x 2,8 x 0,8 mm, et permet de disposer de deux dispositifs sur une même carte tout en économisant 42% de la place qu’occuperait deux dispositifs individuels.

Les SSM3K357R et SSM6N357R sont d’ores et déjà livrables en grands volumes.

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