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SST (Silicon Storage Technology, Inc.) (NASDAQ : SSTI), leader des technologies de mémoire flash, a annoncé aujourd’hui la première mémoire flash série quatre bits à haute vitesse et 1,8 V du secteur. Comprenant une fréquence de fonctionnement de 80 MHz et un jeu d’instructions spécialisé, la nouvelle série SQI (Serial Quad I/O) 26WF de dispositifs d’interface série à E/S multiplexées 4 bits offre une capacité d’exécution sur place (XIP), qui permet de stocker et d’exécuter directement les programmes à partir de la mémoire flash sans avoir à doubler le code sur une SRAM. La série 26WF, premier produit flash série à quatre E/S, haute vitesse et 1,8 V, allie la performance généralement associée à une mémoire flash parallèle au faible nombre de broches et gain d’espace d’une mémoire flash série, avec en plus une faible consommation. Cette combinaison de haute performance et faible consommation d’énergie est idéale pour les téléphones mobiles, les écouteurs Bluetooth, les dispositifs GPS et les autres appareils électroniques portables de petite taille.

L’annonce d’aujourd’hui s’appuie sur le succès des produits flash SQI 3,0 V de SST, de la série 26VF, qui a gagné au mois d’avril le prix de l’Innovation de l’année décerné par le magazine EDN. Les deux dispositifs de la série 26 de SST présentent une nouvelle fonction d’indexage de lecture mémoire qui leur permet d’atteindre la plus grande vitesse en accès aléatoire de toutes les mémoires série quatre bits du secteur. L’indexage de lecture mémoire permet au système de sauter d’une adresse à un autre dans une page de 256 octets, dans un bloc de 64 Ko ou d’un bloc à un autre en utilisant l’adressage indirect. Cela entraîne une importante réduction du nombre de cycles d’horloge et accélère considérablement l’accès aux données.

Grâce à des débits de données par rafales allant jusqu’à 320 Mbits/sec., la série 26WF fournit une performance flash série dépassant celle de la mémoire flash parallèle habituelle. Afin de fournir une meilleure vitesse et performance système tout en réduisant le temps d’accès, les dispositifs 26WF prennent en charge le fonctionnement en mode rafale de 8, 16, 32 et 64 octets avec bouclage. Cette fonction permet aux concepteurs d’exécuter le code en petites rafales pour les applications dénuées de RAM ou de remplir les tampons de ligne de cache pour les applications dont l’architecture système utilise le traitement parallèle afin d’optimiser la bande passante du bus.

Les dispositifs SQI de la série 26WF offrent des optimisations de performance en matière d’écriture mémoire contribuant à améliorer leur performance générale, notamment une capacité d’effacement flexible, qui permet d’effacer de petits secteurs de bloc sur la puce en seulement 25 ms ou la totalité de la puce de mémoire flash en 50 ms. Ces dispositifs prennent aussi en charge l’interruption et la reprise d’écriture, afin qu’un programme puisse interrompre une opération d’écriture pour accéder à un autre bloc de mémoire dans le même cycle d’horloge.

« Le secteur des téléphones portables, en particulier, attendait une solution de mémoire série à haute performance et à consommation d’énergie extrêmement faible, et nous sommes fiers d’être les premiers du secteur à atteindre cet objectif très difficile, se réjouit Douglas Lee, vice-président, produits mémoire, SST. Outre les avantages apportés en matière de performance et de consommation d’énergie, notre nouvelle série 26WF offre aux concepteurs de téléphones mobiles à très bas coût un faible nombre de broches et une mémoire flash série à quatre E/S facile à intégrer, permettant une réduction continue du coût du système. L’annonce d’aujourd’hui consolide notre leadership dans le domaine de la mémoire flash série à haute vitesse et basse tension et souligne notre engagement à fournir aux clients les solutions nécessaires pour atteindre leurs objectifs en termes de conception ».

Les dispositifs SQI de la série 26WF sont basés sur la cellule de mémoire SuperFlash native 1,8 V de SST, qui fournit par nature une meilleure performance par rapport aux autres dispositifs quatre bits qui nécessiteraient des circuits pompe de charge consommateurs d’énergie pour fonctionner à 1,8 V, limitant ainsi la performance. Les produits de la série 26WF offrent une fiabilité supérieure égale à 100 000 cycles d’endurance (habituel) et une rétention de données supérieure à 100 ans. Le courant de lecture active de ces dispositifs est de seulement 15 mA (habituel à 80 MHz) et le courant de veille ne dépasse pas 10 µA (habituel).

Afin de garantir la sécurité du code, tous les dispositifs de la série 26WF prennent en charge une protection d’écriture logicielle des blocs individuels : les 64 Ko de mémoire supérieurs et inférieurs sont partitionnés en secteurs plus petits de 8 Ko dotés de fonction de verrouillage en lecture et écriture. De plus, les dispositifs comprennent une zone à identification sécurisée programmable une seule fois, composée d’une identification unique de 64 bits programmée en usine et d’un bloc de 192 bits programmable par l’utilisateur.

Tous les dispositifs SQI de la série 26WF sont disponibles dans des gammes de température commerciales et industrielles, et sont offerts dans un boîtier WSON (6 mm x 5 mm) 8 contacts ou SOIC (200 mil) 8 broches. Outre la série 26WF 1,8 V, SST offre des dispositifs SQI 3,0 V en densités de 16 Mbits et 32 Mbits.

Prix et disponibilité

Le premier produit de la série SQI 26WF est le SST26WF032 32 Mbits. Des échantillons de ce produit sont disponibles dès maintenant pour un certain nombre de clients, alors que la production de masse est programmée pour le 1er trimestre 2010. Le prix unitaire du dispositif SST26WF032 est de 3,20 $ pour des commandes de 10 000 unités. D’autres produits de cette série seront annoncés ultérieurement.

http://www.sst.com