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Texas Instruments présente des MOSFET de puissance à impédance thermique réduite sur la face supérieure pour le refroidissement des applications DC/DC à courants élevés

Grâce à leur boîtier novateur, les MOSFET de puissance DualCool™ NexFET™offrent une dissipation thermique améliorée de 80% et un courant augmenté jusqu’à 50%, pour un encombrement standard

Texas Instruments Incorporated (TI) lance la première famille de MOSFET de puissance à encombrement standard à destination des applications DC/DC à courants élevés, qui dissipe la chaleur par la face supérieure du boîtier. Les MOSFET de puissance DualCool™ NexFET™ réduisent la taille de l’équipement final tout en fournissant une augmentation de courant pouvant aller jusqu’à 50% à travers le MOSFET, ce qui permet d’améliorer le bilan thermique par rapport aux autres boîtiers à encombrement standard. Consultez la page Web : http://www.ti.com/dualcool-prfr.

Composée de 5 composants MOSFET, cette nouvelle famille permet aux concepteurs de systèmes informatiques et de télécommunication d’utiliser des processeurs à courant plus élevé et d’augmenter la mémoire, tout en économisant de la place sur la carte. Présentés dans un boîtier sophistiqué, ces MOSFET peuvent être utilisés dans une vaste gamme d’applications, notamment dans les ordinateurs personnels de bureau, serveurs, équipements de télécommunication ou de mise en réseau, stations de base et systèmes industriels à courants élevés.

« Nos clients demandent des alimentations électriques DC/DC offrant des courants plus élevés et un moindre encombrement pour répondre aux besoins d’augmentation de la puissance de traitement qui se font ressentir sur le vaste marché des infrastructures, a souligné Steve Anderson, directeur de la division Gestion d’énergie au niveau monde de TI. Les MOSFET de puissance DualCool NexFET répondent à ces besoins en conduisant plus de courant pour un même facteur de forme. »

Atouts et caractéristiques clés des MOSFET de puissance DualCool NexFET :

• MOSFET convertisseurs-abaisseurs synchrones monophasés 35 A, utilisant des MOSFET uniques pour les commutateurs côté haut et côté bas dans les applications DC/DC à courants élevés.

• Boîtier à technologie avancée, réduisant l’impédance thermique vers le haut du boîtier de 10-15° C/W à 1,2° C /W, ce qui augmente la capacité de dissipation thermique jusqu’à 80%

• L’efficacité de la dissipation thermique sur les deux faces permet de faire passer jusqu’à 50% de courant supplémentaire dans le FET, ce qui donne aux concepteurs la souplesse nécessaire pour utiliser des processeurs à intensité supérieure sans augmenter la taille de l’équipement final.

• Le boîtier SON standard avec un encombrement de 5 mm x 6 mm facilite la conception et contribue à réduire les coûts, puisqu’il permet d’économiser 30 mm2 par rapport à l’utilisation de deux boîtiers standards.

Disponibilité et prix

Les composants DualCool NexFET sont disponibles dès aujourd’hui auprès de TI et de ses distributeurs agréés. Le prix de vente recommandé pour le modèle CSD16325Q5C est de 1,47$ par lot de 1000 pièces. Les échantillons et notes d’application correspondants sont également disponibles.

Pour en savoir plus sur les MOSFET NexFET de TI et les autres offres de composants de puissance, consultez les liens suivants :

• Commander des modules d’évaluation et des échantillons NexFET : http://www.ti.com/mosfet-dcpr

• Vidéo de démonstration des MOSFET de puissance DualCool NexFET : http://www.ti.com/mosfet-vpr

• Présentation des contrôleurs DC/DC optimisés pour la technologie NexFET : http://www.ti.com/tps40303-pr, http://www.ti.com/tps40304-pr, http://www.ti.com/tps40305-pr.

• Portefeuille complet des composants TI de gestion de l’alimentation : http://www.ti.com/power-dcprfr

http://www.ti.com