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Nouveaux produits

National Semiconductor présente un amplificateur ultra-rapide, à très faible bruit

Publication: Mai 2010

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Le niveau de bruit du PowerWise LMH6629 est de seulement 0.69 nV/racine(Hz), pour une bande passante de 900 MHz avec un gain de 10...
 

Le nouvel amplificateur opérationnel (ampli op) ultra-rapide de National Semiconductor Corp. (NYSE : NSM) offre le plus faible niveau de bruit du marché (0.69 nV/racine(Hz)) pour une bande passante à -3 dB de 900 MHz avec un gain de 10. Le PowerWise® LMH6629 offre aux concepteurs une combinaison unique de large bande passante, de gain élevé, et d’amplification de précision, pour les systèmes dans lesquels un niveau de bruit additionnel très faible est indispensable. Il s’agit notamment des systèmes 16 bits pour les applications de communication, test et mesure, ’imagerie médicale, industrielles ou encore LIDAR (Light Detecting and Ranging, ou télédétection laser).

Le LMH6629 fournit également un très faible bruit de courant d’entrée (2.6 pA/racine (Hz)), et d’excellentes performances en matière de distorsion harmonique de 2ème et 3ème ordre (f = 1 MHz), avec respectivement -90 dBc et -94 dBc. Le faible bruit en entrée de l’ampli op, sa distorsion minime, et son débit élevé, associés à des erreurs CC très faibles (780 µV maximum d’offset de tension d’entrée à 25°C, et +/- 0.45 µV par °C de TCVos), permet un fonctionnement de précision, aussi bien dans le cas d’applications à couplage CA que CC.

La gamme d’entrée en mode commun du LMH6629 se prolonge au-dessous de la masse, et la sortie peut évoluer jusqu’à 0.8V de chacun des rails, avec un courant de sortie linéaire supérieur à +/- 250 mA. Cet ampli op PowerWise consomme 15.5 mA, et accepte une tension d’alimentation entre 2.7V et 5.5V. Son système de compensation interne paramétrable par l’utilisateur évite le recours à des composants de compensation externes, et le temps de développement supplémentaire caractéristique d’autres amplificateurs. Avec le LMH6629, les concepteurs peuvent opter pour un gain minimum de 4 ou de 10, en mettant la pin de sélection de gain minimum à l’état Bas ou à l’état Haut.

Le LMH6629 est produit selon la nouvelle technologie de fabrication SiGe (silicium-germanium) CMOS bipolaire, CBiCMOS8 de National. L’un des processus analogiques les plus en pointe du marché actuel, CBiCMOS8 fait appel à une combinaison unique et monolithique de transistors SiGe NPN et PNP, ainsi qu’à des transistors CMOS basse consommation, qui permettent un débit, une linéarité, une densité, une consommation et un faible bruit, pour les applications analogiques haut-débit les plus exigeantes.

Prix et disponibilité

Disponible dès maintenant, le LMH6629 est fourni en boîtier LLP® 8 pins, et fonctionne dans toute la gamme de température de -40°C à 125°C. Le LMH6629 est tarifé 1,88 dollar par quantité de 1000 pièces. Pour plus d’information, ou pour commander des échantillons et une carte d’évaluation, visitez htp://www.national.com/pf/LM/LMH662....

htp://www.national.com

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