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Renesas Electronics, fournisseur leader de solutions semiconducteurs avancées, annonce la disponibilité de deux composants de puissance, le RJK0222DNS et le RJK0223DNS, dotés de boîtiers ultra-compacts et destinés à être utilisés dans les convertisseurs DC/DC (Note 1) qui alimentent les MCU/MPU, les mémoires, et autres circuits des systèmes tels que les serveurs ou ordinateurs portables.

Ces nouveaux composants de puissance intègrent chacun une paire de MOSFET de puissance (Note 2) dans un boîtier unique, permettant de concevoir des convertisseurs DC/DC qui sont plus compacts avec une densité de montage plus élevée. Les MOSFET de puissance, compacts, de 11ème génération, à faible perte et fabriqués suivant un procédé avancé, (1) sont encapsulés dans un boîtier ultra-compact mesurant seulement 3,2 millimètres (mm) x 4,8 mm x 0,8 mm (max.). Cela permet de réduire de moitié la surface de montage par rapport aux précédents MOSFET de Renesas Electronics. Ces composants (2) assurent un rendement de 95,2%, le haut de gamme de l’industrie, qui contribue à réduire la consommation d’énergie.

Les équipements de télécommunications et d’information, tels que les stations de base, les ordinateurs portables, les serveurs et les cartes graphiques, requièrent de multiples convertisseurs DC/DC abaisseurs de tension car ils incluent des composants tels que des CPU, GPU, modules mémoires, et ASIC, exigeant une tension d’alimentation plus faible que celle fournie par la batterie. Du fait que la demande pour des systèmes d’information plus petits et plus optimisés ne cesse de croître, les convertisseurs DC/DC se doivent d’être plus compacts, plus petits et à plus fort rendement.

En réponse à cette demande, Renesas Electronics a développé ces deux composants de puissance, chacun d’eux intégrant une paire de MOSFET de puissance dans un boîtier ultra-compact. Ces produits tirent avantage de l’expertise de la compagnie en termes de développement de boîtier de plus petite taille et de boîtiers à plus forte dissipation thermique mis au point pour la technologie ultrafine de Renesas Electronics.

Les principales caractéristiques de ces nouveaux composants sont les suivantes :

Réduction de la moitié en surface de montage, permettant la constitution de sources d’alimentation plus compactes et de haute densité

Une paire de MOSFET de puissance, servant à la conversion de tension, est montée dans un boîtier ultra-compact de Renesas Electronics (référence boîtier HWSON3046) avec une surface de montage de 3,2 mm x 4,8 mm. La surface de montage est environ la moitié de celle du boîtier existant (5,1 mm x 6,1 mm) de Renesas Electronics (référence boîtier WPAK), permettant de concevoir des convertisseurs DC/DC plus compacts et présentant une densité de montage plus élevée.

Un rendement élevé, parmi les meilleurs de l’industrie, pour une consommation d’énergie réduite des sources d’alimentation

Avec une fréquence de commutation de 300 kilohertz (kHz), la 11ème génération des MOSFET de puissance, à faible perte, de Renesas Electronics assure un rendement optimal de 95,2% (tension d’entrée : 12 volts (V), tension de sortie : 3,3 V), ce qui correspond au haut de gamme de l’industrie et contribue à améliorer le rendement de l’ensemble de la source d’alimentation.

Dans la paire de MOSFET de puissance servant à la conversion de tension, celui qui est utilisé pour le redressement synchrone, côté basse tension (low-side), intègre une diode à barrière de Schottky. Pendant le temps mort (Note 3) du convertisseur DC/DC, l’accélération de la commutation du courant issu du MOSFET de puissance vers la diode Schottky réduit la perte d’énergie. De plus, ceci supprime efficacement le pic de tension lorsque le MOSFET de puissance commute, diminuant le bruit électromagnétique.

Comme pour le boîtier WPAK existant de Renesas Electronics, le nouveau boîtier HWSON3046 assure une excellente dissipation thermique et possède une pastille spécifique placée sur la surface arrière de la puce lui permettant de dissiper la chaleur vers la carte lorsque le MOSFET de puissance est opérationnel ; il peut ainsi gérer des courants de forte intensité.

Renesas Electronics prévoit de développer une série complète de composants à double puce en utilisant le boîtier HWSON3046 pour toute une gamme de spécifications de convertisseur DC/DC. Se référer à page ci-jointe pour les caractéristiques de ces nouveaux produits.

Disponibilité

Des échantillons des nouveaux MOSFET de puissance de Renesas Electronics sont disponibles dès maintenant. Le démarrage de la production de masse est prévu pour décembre 2010. (La disponibilité peut être modifiée sans notification).

Note 1 : convertisseur DC/DC

Un circuit qui convertit une tension continue (DC : direct current) en une autre tension spécifiée.

Note 2 : Une paire de MOSFET de puissance

Un premier MOSFET de puissance sert comme commutateur de contrôle (commutateur côté haute tension ou « high-side ») et un second MOSFET de puissance pour le redressement synchrone (commutateur côté basse tension ou « low-side »). Les deux MOSFET de puissance fonctionnent en coordination, commutant alternativement de l’état passant à l’état bloqué pour convertir la tension.

Note 3 : Temps mort

Il existe un bref intervalle de temps entre le moment où un MOSFET de puissance commute à l’état bloqué et celui où il est effectivement à l’état bloqué. C’est pourquoi, comme les deux MOSFET de puissance, celui pour le contrôle et celui pour le redressement, commutent alternativement, il y a un court laps de temps après que l’un est basculé à l’état bloqué et avant que l’autre soit effectivement passant. Cette période d’attente s’appelle « temps mort » (« dead time »).

Remarque

Les noms des produits ou services mentionnés dans ce communiqué de presse sont des marques ou des marques déposées de leurs propriétaires respectifs.

http://www.renesas.eu