Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

le fournisseur leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, lance la diode Schottky SiC SDP60S120D, qui est spécifiée pour 1200 V, 60 A (à la température de boîtier Tc de 145°C), soit le plus haut courant direct (IF) du monde pour une diode SiC.

Délivrant un courant 20% plus élevé que son concurrent le plus proche, la diode SDP60S120D en boîtier TO-247 présente une charge capacitive Qc de seulement 260 nC et une plage de température de fonctionnement de -55°C à +175°C. Avec un coefficient de température positif qui facilite sa mis en parallèle et un comportement en commutation indépendant de la température, la nouvelle diode Schottky se caractérise par un courant de recouvrement inverse nul et une tension de recouvrement direct nulle.

« Notre diode SDP60S120D de 60 A remplace trois composants de 20 A en parallèle, réduisant la dissipation de puissance de plus de 12%, tout en économisant de l’espace et des coûts, » commente Dieter Liesabeths, directeur des ventes.

Les applications incluent les inverseurs solaires, les commandes de moteur, la correction de facteur de puissance, les alimentations ininterruptibles, les amplificateurs audio et le chauffage à induction. Les produits de SemiSouth sont disponibles auprès de notre réseau mondial de distributeurs et représentants qualifiés, dont la liste se trouve à l’adresse http://www.semisouth.com/contact/sa....