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Le fabricant leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, annonce à nouveau une première mondiale. Après avoir lancé en 2008 les premiers transistors de puissance JFET 1200 V commerciaux à grille en tranchée, maintenant utilisés en volume par de nombreux fabricants d’alimentations ininterruptibles, de produits haute fiabilité, de systèmes audio et d’inverseurs solaires, SemiSouth délivre les premiers JFET SiC de 650 V de l’industrie. La haute fréquence de commutation, la gestion de forts courants et les propriétés thermiques des dispositifs SiC en font des produits idéaux pour les applications d’électronique de puissance. Leur structure JFET à tranchée verticale leur permet d’atteindre les meilleures valeurs de résistance passante spécifique de l’industrie, jusqu’à cinq à dix fois plus basses que les technologies concurrentes.

« Il y a longtemps que les secteurs de la transmission de véhicules électriques, des alimentations ininterruptibles, du soudage, du solaire ou du chauffage à induction réclament des transistors SiC, qui sont très fiables, économiques et de haute efficacité aux fortes densités de puissance, » commente le Dr. Jeffrey B. Casady, président et CTO de SemiSouth. « Nous sommes fiers d’être les premiers à offrir de tels produits et nos clients tireront de grands bénéfices de l’intégration de ces JFET 650 V de première classe dans leurs conceptions. »

« Ce produit est important, » ajoute Dieter Liesabeths, Sr. VP Ventes et Marketing. «  Les marchés qui utilisent déjà nos transistors 1200 V, comme le solaire et les alimentations ininterruptibles, ont aussi besoin de commutateurs de 650 V pour des solutions de haute efficacité et de forte densité de puissance à plus basse tension de grille ou de bus. Par ailleurs, dans le secteur de la transmission de véhicules électriques, l’industrie automobile se divise entre utilisateurs exigeant des dispositifs de 1200 V et plus, et d’autres ne demandant que 650 V. Nous sommes désormais à même de servir encore mieux ces marchés avec des transistors de puissance de 650 à 1700 V. »

Comme beaucoup de composants de SemiSouth, les JFET SiC SJDA065R055 de 650 V / 55 mΩ ont un coefficient de température positif pour faciliter la mise en parallèle, et une commutation extrêmement rapide sans « courant de queue » à 150°C. La résistance à l’état passant RDS(on) typique de ces nouveaux dispositifs contrôlés en tension est de 0,044 Ω ; ils se caractérisent aussi par une faible charge de grille et une faible capacité intrinsèque.

Les applications typiques de ces produits en boîtier TO-220 sont les inverseurs solaires, les alimentations à découpage, les circuits de correction de facteur de puissance, le chauffage à induction, les alimentations ininterruptibles et la commande de moteur.