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SemiSouth double l’intensité nominale de ses diodes SiC en boîtier DPAK, qui passe de 5 A à 10A

Publication: Juillet 2012

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Les diodes SDB10S120 de 1200 V / 10 A sont disponibles en boîtier TO-252...
 

SemiSouth Laboratories, Inc., leader des transistors de puissance en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à haut rendement en milieu difficile, double l’intensité nominale de ses diodes SiC en boîtier DPAK, qui passe de 5 A à 10 A. La diode SDB10S120 1200 V / 10 A présente un coefficient de température positif pour faciliter sa mise en parallèle. Sa réponse en commutation est indépendante de la température et sa température de fonctionnement maximum est de 175°C. Son courant direct et son courant de recouvrement inverse sont nuls. Sa charge capacitive totale est de 40 nC. Le boîtier DPAK de type TO-252-2L n’a que deux pattes ; une fois monté, son empreinte nominale est de 9,8 x 6,6 mm et sa hauteur de juste 2,29 mm.

« Avec ces diodes 1200 V / 10 A, nous renforçons notre position de leader du carbure de silicium, » déclare Dieter Liesabeths, Senior VP Ventes et Marketing de SemiSouth. « Nous apportons plus de performance et d’espace aux applications d’onduleurs solaires, d’alimentations à découpage, de chauffage par induction, d’alimentations secourues et de commandes de moteur, ainsi que de correction de facteur de puissance. »

Les nouvelles diodes sont en cours d’échantillonnage et leur production en volume démarre en juin 2012. Le prix unitaire est de 8,66 $ par 1000 pièces.

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