Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’annoncer le lancement européen d’une famille de MOSFET 600V à diodes intrinsèques rapides intégrées. Basé sur le processus super-jonction 600V de 4ème génération, DTMOS IV, de la société, ces nouveaux MOSFET permettront d’améliorer le rendement des alimentations à découpage, des convertisseurs d’énergie miniatures, des adaptateurs et des convertisseurs d’énergie photovoltaïques.
Les nouveaux TK16A60W5, TK31J60W5 et TK39J60W5 améliorent de manière significative le rendement énergétique en combinant la meilleure caractéristique RDS(ON)•A (Résistance à l’état passant x Surface) du marché, et un temps de rétablissement inverse égal au 1/3 de celui de la génération précédente. En outre, l’utilisation d’un processus d’épitaxie unique, garantit des augmentations minimes de la résistance à l’état passant (RDS(ON)) et du temps de rétablissement, aux températures élevées.
Le TK16A60W5 se présente en boîtier TO-220SIS. Le courant maximum spécifié (ID) est 15.8A et RDS(ON) est égale à 0.23Ω. La diode montre un excellent temps de rétablissement inverse (trr) typique de 100 ns. Les TK31J60W5 et TK39J60W5 sont fournis en boîtiers TO-3P(N) et offrent des courants maximum de 30.8A et 38.8A respectivement. Les valeurs respectives de RDS(ON) maximum (à VGS = 10V) sont de seulement 0.099Ω et 0.074Ω. Les caractéristiques trr typiques des diodes sont de 135 ns et 150 ns. Des versions en boîtiers TO-247 devraient être disponibles à l’automne 2013.
Les MOSFET super-jonction offrent une résistance à l’état passant (RDS(ON)) ultra-faible, sans perte de puissance pénalisante. Grâce au processus d’épitaxie unique dernier-cri de Toshiba, les MOSFET super-jonction 600V de 4ème génération, DTMOS IV, offrent une réduction de 30% du produit RDS(ON).A, qui est un critère de performance (Factor Of Merit en anglais) des transistors MOSFET, par rapport à leurs prédécesseurs DTMOS III.
La réduction de RDS(ON).A, permet de loger des chips résistifs de plus faible valeur à l’intérieur du boîtier, et ainsi d’améliorer le rendement tout en réduisant la taille des alimentations.
