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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de diodes barrière de Schottky (SBD) au carbure de silicium (SiC) 650V. Des dispositifs. 6, 8 et 10A sont désormais disponibles en plus de la SBD 12A entrée en production début 2013. Les analystes prévoient une croissance significative du marché des composants de puissance SiC, et Toshiba a pour objectif de répondre à ce marché avec ces nouveaux produits.

Les diodes SBD sont bien adaptées aux applications comme les conditionneurs de puissance des systèmes de production d’énergie photovoltaïque. Les SBD peuvent aussi servir à remplacer les diodes silicium dans les alimentations à découpage, où elles sont 50% plus efficaces.

Ces diodes de puissance SiC offrent un fonctionnement plus stable que celles au silicium, même avec des courants et des tensions élevées, parce qu’ils réduisent sensiblement la dissipation thermique en fonctionnement. Ces diodes répondent à différents besoins du marché pour des appareils de communication plus petits et plus efficaces, et sont bien adaptées à plusieurs applications industrielles allant des serveurs aux convertisseurs d’énergie, et du ferroviaire à l’automobile.

La gamme SBD Toshiba offre un courant de restauration inverse maximum (IRRM) de 90 µA sous 650V. Toutes ces diodes sont conditionnées en boitier TO-220 ; d’autres boîtiers sont prévus.

http://www.toshiba-components.com