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Toshiba Electronics Europe (TEE) élargit sa famille de MOSFET de puissance pour applications automobiles, avec trois nouveaux formats de boîtiers miniatures, qui aideront les concepteurs à réduire l’encombrement sur carte, sans compromettre les performances.

Les MOSFET TPCA8xxx, TPCC8xxx et TPCP8xxx existent en version Canal-P ou Canal-N, et se présentent respectivement en boîtiers SOP Advance, TSON Advance et PS-8. Les dimensions de ces boîtiers sont respectivement de 5 x 6 x 0.95 mm, 3.3 x 3.3 x 0.85 mm et 2.8 x 2.9 x 0.8 mm. Tous ces nouveaux dispositifs sont spécifiés jusqu’à 175°C et présentent de faibles résistances à l’état passant et des capacitances d’entrée très basses, ce qui se traduit par des pertes de conduction et de commutation minimes. Les boîtiers SOP Advance et TSON Advance disposent d’un drain thermique métallique qui leur permet de mieux évacuer la chaleur que les boîtiers conventionnels de type SOP-8.

Les dispositifs Toshiba SOP Advance conviennent idéalement aux applications qui utilisaient traditionnellement des DPAK. Les dispositifs TSON Advance et PS-8 pourront quant à eux remplacer les dispositifs SOP-8 pour gagner de la place.

Les nouveaux MOSFET TPCA8xxx en boîtier SOP Advance offrent des tensions et des courants nominaux jusqu’à +60V et 40A pour les dispositifs Canal-N, et jusqu’à -60V et -35A pour les dispositifs Canal-P. La série TPCC8xxx en boîtier TSON Advance offre des tensions jusqu’à +60V/-60V, et des courants jusqu’à +30/-30A. Les MOSFET Canal-N TPCP8xxx en boîtier PS-8 existent en version simple canal +60V, 10A, et en version deux canaux 40V, 5A. Les MOSFET Canal-P TPCP8xxx sont disponibles pour des tensions jusqu’à -60V, et des courants jusqu’à -8A.

En outre, Toshiba peut également fournir un dispositif en boiter PS-8, combinant un MOSFET Canal-N 40V, 5A, et un MOSFET Canal-P-40V, -4A, dans un même boîtier ultra-miniature.

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