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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de diodes SBD (Schottky Barrier Diode, ou diode à barrière de Schottky) avec une nouvelle diode CxS15S30, basée sur le tout dernier processus semi-conducteur de Toshiba, qui améliore les performances en matière de tension directe et de courant inverse.

La diode SBD CxS15S30 est spécifiée pour un courant redressé moyen de 1.5A et une tension inverse de 30V maximum. Les types de boîtier disponibles sont un boîtier CST2C ultra-compact de type LGA (CCS15S30) de seulement 1.6 x 0.8 x 0.48 mm, et un boîtier à la norme SOD-323 (CUS15S30).

Cette nouvelle diode Toshiba est particulièrement bien adaptée aux applications où l’encombrement est limité, lorsqu’une intensité élevée et une tension directe (VF) faible sont absolument nécessaires. Le CxS15S30 fournit le rendement élevé qu’exigent les appareils alimentés par batterie ou dont la consommation doit être maîtrisée. La faible tension directe VF = 0.39V à 1.5A, et le courant inverse typique de seulement 200 µA, garantit les plus faibles pertes à la plupart des applications courantes, comme les circuits de rétro-éclairage à LED ou de protection contre les retours de courant dans les circuits de charge de batterie.

Grâce à sa capacité intrinsèque typique de seulement 200 pF, la CxS15S30 peut aussi servir à toutes les applications courantes à commutation rapide.

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