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Nouveaux produits

Toshiba lance une mémoire Flash NAND SLC BENANDTM 24 nm de 8 Gbits

Publication: Février 2014

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Mémoire NAND 24 nm à correction d’erreur embarquée, permettant la migration facile de mémoires NAND SLC 4x nm simples, vers une technologie de pointe
 

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’étendre sa gamme de mémoires Flash NAND SLC (Single Level Cell, ou cellule simple niveau) BENAND™ [1] 24 nm, en y intégrant une correction d’erreur (ECC) 8 bits. Le lancement de cette nouvelle mémoire BENAND SLC 24 nm de 8 Gbits, permettra aux fabricants d’utiliser la toute dernière technologie 24 nm dans les appareils conçus pour les NAND 4x nm, prolongeant ainsi la vie de produits électroniques grand public, de dispositifs multimédia, de compteurs ou de systèmes de d’éclairage intelligents, ou encore de certains systèmes à vocation industrielle.

BENAND soulage le processeur hôte du fardeau de l’ECC, tout en permettant aux concepteurs d’utiliser une technologie Flash NAND de pointe. Pour faciliter la migration, ces nouvelles BENAND ont été conçues de telle sorte que tous les paramètres, tels que longueur de page ou de bloc, taille disponible, commandes, interface, et même boîtier, soient identiques à ceux des anciennes NAND SLC 4xnm.

Le prix de mémoires Flash NAND issues de processus plus avancés est inférieur, mais les cellules plus petites sont plus vulnérables au stress engendré par la programmation ou l’effacement. Ceci nécessite une correction d’erreur (ECC) plus complexe, pour maintenir les niveaux de fiabilité désirés. Par exemple, une NAND SLC 4xnm de faible densité nécessite une ECC à 1 bit, une NAND SLC 3xnm nécessite une ECC à 4 bits, tandis qu’une NAND SLC 2xnm nécessite une ECC à 8 bits.

Traditionnellement la correction d’erreur (ECC) était plutôt gérée par les contrôleurs hôtes, ce qui rendait souvent le passage à des mémoires NAND plus économiques, au final coûteux et fastidieux, dans la mesure ou le processeur hôte devait être remplacé pour assurer le niveau de correction d’erreur nécessaire. Par opposition, BENAND modifie ce paradigme en intégrant l’ECC sur la mémoire NAND elle-même, et en autorisant l’utilisation d’anciens contrôleurs avec la toute dernière technologie NAND, ce qui permet de simplifier la nomenclature et de réduire les coûts, tout en maintenant la fiabilité élevée de la NAND SLC.

L’arrivée de ces mémoires 8 Gbits étend de 1 Gbit à 8 Gbits, la ligne de produits BENAND, qui est disponible en boîtiers TSOP ou BGA, et en gamme de température industrielle ou grand-public.

http://www.toshiba-components.com

Notes

[1] BENAND™ est une marquee commerciale de Toshiba Corporation

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