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Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’annoncer sa toute dernière famille de Trench-MOSFET basse tension, ultra-haut rendement. Ces Trench-MOSFET ultra-haut rendement sont basés sur le processus semiconducteur de nouvelle génération, U-MOS IX-H, de la société.

Ces nouveaux MOSFET offrent le meilleur produit [RDS(ON)*QOSS] (Résistance à l’état passant x Charge en sortie) du marché, que l’on considère comme le facteur de mérite de cette classe de dispositifs. Initialement disponible en version 40V, le famille sera étendue dans les mois à venir à des dispositifs de tension nominale 30V à 60V. Le premier dispositif de la série présente un RDS(ON) typique de 0.7 mΩ seulement (0.85 mΩ au maximum) et une capacité de sortie COSS typique de 1930 pF. De tension nominale 40V, le TPHR8504PL est fourni en boîtier ultra-miniature SOP-Advance de seulement 5 x 6 mm.

Les applications ciblées par cette neuvième génération de dispositifs U-MOS sont notamment les convertisseurs DC-DC, le redressement synchrone, et d’autres circuits de gestion d’énergie nécessitant à la fois basse consommation, commutation rapide, et empreinte sur carte minimum.

Les MOSFET U-MOS IX-H sont idéaux pour la commutation, côté haut ou côté bas, de convertisseurs DC-DC, ou la rectification synchrone au secondaire de circuits de conversion AC-DC. En améliorant la valeur [RDS(ON)*A], la technologie U-MOS IX-H permet une réduction de 65% de la taille de puce pour le même RDS(ON) (ou une réduction de 65% de RDS(ON) pour la même taille de puce), par rapport à la génération précédente UMOS VI-H 40V. En outre, le meilleur compromis entre charge de sortie (QOSS) et valeur RDS(ON) conduit à un meilleur rendement. Par conséquent, les MOSFET U-MOS IX-H permettent aux concepteurs de réduire la consommation et la taille des équipements.

Les concepteurs pourront choisir entre différents boîtiers CMS, et dans le futur auront également accès à une version à refroidissement deux faces.