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GaN Systems Inc, un développeur leader de semiconducteurs de puissance au nitrure de gallium, annonce cinq transistors GaN normalement bloqués de 650 V, optimisés pour les conceptions haute vitesse.

Les nouveaux transistors à enrichissement de 650 V présentent une capacité de courant inverse, une charge de recouvrement inverse nulle et une fonction de mesure de source pour une conception haute vitesse optimale. Conformes RoHS, ils sont encapsulés dans le boîtier embarqué GaNPX de GaN Systems, pratiquement un boîtier-puce, qui élimine les fils de soudage et minimise ainsi l’inductance. Ce boîtier optimise aussi la performance thermique et est extrêmement compact.

«  Avec ces nouveaux produits de 650 V et notre récente famille de 100 V, nous présentons une offre de composants très large, immédiatement disponible en échantillonnage, » commente Girvan Patterson, président de GaN Systems. « «  Les applications incluent les convertisseurs DC-DC haute vitesse, les convertisseurs à résonance, les commandes de moteurs à courant alternatif, les onduleurs, les chargeurs de batteries et les alimentations à découpage. »

http://www.gansystems.com