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Nouveaux produits

Toshiba lance la plus petite classe de mémoires flash embarquées au monde

Publication: Octobre 2014

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Les nouveaux CI e∙MMCTM font appel à de la mémoire Flash NAND en technologie de pointe 15 nm...
 

Toshiba Electronics Europe vient de lancer la plus petite classe[1] de mémoires Flash NAND embarquées au monde, grâce à des puces NAND produites en technologie de pointe 15 nm. Ces nouvelles mémoires sont conformes aux toutes dernières spécifications e∙MMC[2] , et sont destinées à un large éventail d’applications comme les smartphones, les tablettes et autres dispositifs "wearables" (à porter sur soi). Les premières livraisons d’échantillons de dispositifs 16 Go ont lieu dès maintenant, et des versions 8 Go, 32 Go, 64 Go et 128 Go vont suivre.

Les puces NAND e∙MMC sont fabriquées en technologie de pointe Toshiba 15 nm, et intègrent un contrôleur gérant les fonctions de contrôle de base des applications NAND. Grâce à l’utilisation de ces puces NAND 15 nm, la taille des boîtiers est réduite d’environ 26%[3] par rapport aux produits Toshiba comparables[4]. Les boîtiers FBGA 153 billes, conviennent bien aux smartphones, aux tablettes PC, et aux appareils "wearables", pour lesquels la miniaturisation et le gain de poids sont des critères décisifs.

Les puces NAND e∙MMC 16 Go sont disponibles en plusieurs tailles de boîtiers : 11.5 x 13.0 x 0.8 mm (THGBMFG7C2LBAIL), 11.0 x 10.0 x 1.0 mm (THGBMFG7C2LBAIW) ou 11.5 x 13.0 x 0.8 mm (THGBMFG7C1LBAIL). Les dispositifs 8 Go, 32 Go et 64 Go sont également disponibles en formats 11.5 x 14.0 mm, et 11.0 x 10.0 mm.

Avec son système, le dispositif 128 Go (THGBMFT0CBLBAIS) ne mesure que 11.5 x 13.0 x 1.4 mm, et peut enregistrer jusqu’à 16.3 heures de vidéo HD ou 39.7 heures de vidéo SD[5].

Ces dispositifs sont également plus rapides en lecture/écriture grâce à une meilleure optimisation des performances de la puce elle-même et du contrôleur. La vitesse de lecture est jusqu’à 8% plus rapide (maximum), tandis que la vitesse d’écriture est approximativement 20% plus rapide (maximum).

La demande mondiale continue de croître pour les mémoires flash NAND utilisables dans des smartphones ou des tablettes. Ceci est particulièrement vrai pour les mémoires embarquées intégrant un contrôleur, qui facilitent le développement et l’intégration au sein de projets système plus complexes. 100% compatible avec les dernières normes JEDEC, l’interface des dispositifs e∙MMC gère les fonctions essentielles, notamment la gestion des blocs d’écriture, la correction d’erreurs et le logiciel driver.

La conception intégrée de la puce simplifie les développements système, en permettant aux fabricants de réduire les coûts d’études, et d’accélérer le lancement de nouveaux produits ou d’évolutions de produits existants. De nouvelles fonctions supplémentaires[6] comme le "contrôle BKOPS", la "barrière de cache", le "rapport de nettoyage de cache", et "l’écriture de grand RPMB", ont également été implémentés pour améliorer encore les possibilités offertes. La plage de températures d’utilisation, de -25°C à +85°C, permet de spécifier ces dispositifs pour un large éventail d’environnements et d’applications.

Notes :

[1] Au 30 septembre 2014. Enquête de Toshiba. Sauf produit 128 Go.

[2] e∙MMC™ est une catégorie de produit pour une classe de mémoires embarquées produites selon la norme JEDEC e∙MMC ™. C’est aussi une marque commerciale de l’association de technologie de semiconducteurs JEDEC.

[3] Sauf produit 128 Go.

[4] Mémoires flash NAND embarquées de classe rapide e∙MMC ™ en technologie 19 nm seconde génération.

[5] HD et SD calculés à des débits moyens de 17 Mbits/s et 7 Mbits/s respectivement.

[6] Le "contrôle BKOPS" est une fonction qui permet à l’hôte d’autoriser le dispositif à exécuter certaines tâches de fond lorsqu’il est en veille. La "barrière de cache" est une fonction qui permet de contrôler quand les données de cache sont écrites dans la puce mémoire. Le "rapport de nettoyage de cache" est une fonction qui indique à l’hôte si la politique de nettoyage est de type FIFO (Firt In First Out, ou premier entré premier sorti) ou pas. "L’écriture de grand RPMB" est une fonction qui augmente à 8 ko, la taille des données qui peut être écrite dans la zone de RPMB.

http://www.toshiba-components.com

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