Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Présentant une très faible résistance à l’état passant (RDS(on)) pour réduire les pertes en conduction de manière drastique, ces nouveaux MOSFET de puissance 20 V et 30 V sont disponibles en configuration à canal N ou P. Conçus avec une commande de grille maximale de 12 Vgs, ces composants conviennent parfaitement aux montages de protection de batteries à deux cellules en série. L’IRL6297SD embarque deux MOSFET 20 V canal N à drain commun dans un boîtier Small Can DirectFET® compact et à rendement thermique élevé.
Ce large catalogue de MOSFET de gestion de batteries est disponible en boîtier standard ainsi qu’en boîtier DirectFET® Small Can double pour les montages à faible encombrement. Grâce à la faible résistance Rds(on) de cette plateforme, ces circuits peuvent être utilisés pour remplacer des MOSFET en boîtiers plus conséquents afin d’économiser de l’espace sur le circuit imprimé et de réduire le coût du système.
Tous ces composants sont conformes MSL1 et RoHS et ne contiennent pas de plomb, de bromure ou d’halogène.
