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Nouveaux produits

Toshiba étend sa gamme de photorelais ultra-miniatures en boîtier VSON4

Publication: Décembre 2014

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Les TLP3475 et TLP3440 sont conçus pour les signaux haute-fréquence, tandis que les TLP3417 et TLP3420 ont vocation à gérer les tensions élevées...
 

Ces dispositifs ont été conçus pour les applications nécessitant une réduction importante de l’empreinte sur carte, et pour lesquelles des signaux haute-tension rapides doivent être mesurés, comme par exemple les testeurs de semiconducteurs, les appareils de mesure, les matériels médicaux ou les cartes de sonde. Ces photorelais se composent d’un phototransistor MOSFET couplé optiquement à une LED infrarouge, le tout logé dans un boîtier VSON4 ultra-miniature.

Les photorelais apportent aux concepteurs une vitesse de commutation rapide, une fiabilité élevée, une faible consommation, et un fonctionnement silencieux, ce qui en fait d’excellents candidats pour remplacer les relais mécaniques. A l’heure où les armoires des équipements de test et de mesure de semiconducteurs diminuent en taille, le besoin de photorelais ultra-miniatures se développe. Le boîtier VSON4 permet une implantation haute-densité et, en se substituant aux boîtiers USOP4, permet une réduction globale de 50% en surface et de 60% en volume.

Le TLP3475 présente une résistance à l’état passant de 1 Ω (typique) et une capacité de sortie de 12 pF, qui améliorent les caractéristiques de transfert au moment du passage du relais à l’état passant, et évitent les problèmes de transmission avec les signaux haute-fréquence. Ce dispositif "puce-sur-puce" offre également une tension maximum aux bornes de 50V à l’état bloqué, et un courant maximum de 0.3A à l’état passant.

Le TLP3440 présente d’excellentes caractéristiques de fuite aux signaux haute-fréquence à l’état bloqué, avec une tension maximum aux bornes de 40V, un courant maximum à l’état passant de 0.12A, une résistance à l’état passant de 12 Ω (typique), et une capacité de sortie de 0.45 pF.

Les caractéristiques électriques de ces nouveaux dispositifs sont équivalentes à celles des photorelais TLP3375/3340 en boîtier USOP4 existants, tandis que leur empreinte sur carte est inférieure d’environ 50%.

Les TLP3417 et TLP3420 résistent à une tension de 80V et 100V respectivement, ce qui autorise les mesures haute-tension nécessaires au test des dispositifs SoC. Ils revendiquent également un courant à l’état passant de 0.12A (maximum) et 0.1A (maximum), une résistance à l’état passant de 7 Ω (typique) et 8 Ω (typique), ainsi qu’une capacité de sortie de 5 pF (typique) et 6 pF (typique) respectivement.

Tous ces dispositifs présentent un courant de déclenchement de LED de 3 mA maximum, et une tension d’isolement de 300 Veff minimum.

http://www.toshiba-components.com

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