Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Fairchild Semiconductor (NYSE :FCS) propose aux concepteurs d’applications portables un MOSFET MicroFET 20 V fin de 2 mm x 2 mm x 0,55 mm au plus faible RDS(ON) de l’industrie.

Le FMA6023PZT est un MOSFET dual P-Channel dans un boîtier compact et fin répondant aux défis de conception portable pour des appareils de plus en plus petits et minces et équipés de technologie qui allonge la durée de vie des batteries. Le FDMA6023PZT est intégré dans un boîtier MicroFET ultra-fin surmoulé doté d’une excellente résistance thermique, fournissant une remarquable dissipation d’énergie et réduisant les pertes de conduction par rapport aux MOSFET conventionnels. Ce circuit est conçu avec le procédé technologique MOSFET PowerTrench de Fairchild. Cette technologie assure un rendement de valeurs exceptionnellement faibles pour la charge Miller (QGD), RDS(on), et la charge de l’ensemble des portes (QG), améliorations qui se traduisent par des performances supérieures en conduction et en switching.

Le FDMA6023PZT fait partie d’une gamme complète de MOSFET MicroFET qui sont indispensables pour répondre aux défis de conception au niveau énergie des applications portables riches en fonctionnalités. Cette gamme comprend le FDMA1027PT, MOSFET PowerTrench 20 V P-Channel et le FDFMA2P853T, MOSFET PowerTrench 20 V P-Chanel avec une diode Schottky. Ces circuits sont 55% plus petits et 50% moins hauts que les MOSFET standard des applications basse consommation (3 mm x 3 mm x 1,1 mm).

Prix (pour 1000 pièces) : 0,48 $

Disponibilité : 8-10 semaines ARO

Datasheet en format PDF à l’adresse : http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/...

http://www.fairchildsemi.com