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Faisant partie de la vaste gamme de FET SiC hautes performances, cette famille de produits de quatrième génération offre une résistance en marche leader du marché, ce qui lui permet d’être utilisée dans les solutions d’alimentation dans les architectures de bus de 800 V traditionnels comme les chargeurs embarqués pour les VÉ, les chargeurs de batterie industriels, les batteries industrielles, les appareils CC-CC, les onduleurs solaires et bien plus encore.

Les FET SiC UF4C/SC disponibles chez Mouser Electronics fournissent aux concepteurs de multiples options de résistance en marche et de boîtier. Les FET SiC 1 200 V existent dans des versions avec des valeurs de résistance en marche (RDS(on)) comprises entre 23 mÙ et 70 mÙ et en format TO-247-3L avec trois fils ou en format TO-247-4L avec quatre fils. Le boîtier TO-247-4L intègre une grille Kelvin pour fournir une charge de grille ultra-faible et des caractéristiques de reprise inverse exceptionnelles, ce qui permet aux concepteurs de commuter les charges inductives et de concevoir toute application nécessitant un pilote de grille standard.

Tous les dispositifs de la famille UF4C/SC peuvent être utilisés en toute sécurité avec une tension de commande de grille standard de 0 V à 12 V ou 15 V, ce qui permet de remplacer les IGBT, FET ou dispositifs à super-jonction en silicium sans modifier la tension de commande de grille. Parmi les autres caractéristiques notables des FET SiC UF4C/SC, citons une marge de bruit exceptionnelle préservée avec une tension de seuil réelle de 5 V, une excellente reprise inverse et une pince de protection de grille ESD intégrée.

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